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商品名称 型号 数量 品牌 封装/批号 价格 供应商 PDF资料 操作 HM4057DR/D8 电子元器件 虹茂半导体 封装DFN2X2-8L/DFN3X3-8L 批次23+ HM4057DR/D8 10000 虹茂半导体 DFN2X2-8L/DFN3X3-8L 23+ ￥1.3800元1~99 个 ￥1.3470元100~999 个 ...
发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 60N02、 小封装场效应管、 国产MOSFET、 贴片MOS管 商品图片 商品参数 品牌: 宇芯微 封装: DFN3X3-8L 电压VDS: 20V 电流ID: 60A VGS: ±12V 内阻RDS(ON): 6mΩ 数量: 850000 批号: 新年份 价格说明 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 LT4520EFWT、 领泰、 TDFN3X3-8L 商品图片 商品参数 品牌: 领泰 封装: TDFN3X3-8L 批号: 23+ 数量: 165256 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 5...
RDS(ON)<8mΩ@VGS=-10V 封装:PDFN3X3-8L 30VP沟道MOS管 60P03的应用: 锂电池保护 手机快充 30VP沟道MOS管 60P03的极限参数: (如无特殊说明,TC=25℃) 符号 参数 数值 单位 VDS 漏极-源极电压 -30 V VGS 栅极-源极电压 ±20 ID 漏极电流-连续 (TC=25℃) -60 A 漏极电流-连续 (TC=100℃)...
封装:PDFN3X3-8L 小封装MOS管 80N03的应用领域: 电池保护负载开关不间断电源 小封装MOS管 80N03的极限参数: (如无特殊说明,TC=25℃) 漏极-源极电压 VDS:30V栅极-源极电压 VGS:±20V漏极电流-连续 ID:80A漏极电流-脉冲 IDM:160A单脉冲雪崩能量 EAS:144.7mJ雪崩电流 IAS:53.8A总耗散功率 PD:43.4W存储...
封装 PDFN3X3-8L 批号 23+ 数量 165256 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 125C 最小电源电压 5V 最大电源电压 7.5V 长度 9mm 宽度 8.1mm 高度 1.1mm 可售卖地 全国 型号 LT4201FL-X 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加...
P4SMA9.1CA TVS二极管 JJW(捷捷微) 封装SMA 批次23+ ¥ 0.18 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: JJW(捷捷微) 封装: PDFN3x3-8L 批号: 23+ 数量: 3000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 8.5V ...
封装: DFN3X3-8L 批号: 新年份 数量: 900000 资质: 代理 货源: 原厂 优势: 价格优势 库存: 现货 售后: 售后无忧 品质: 原装正品 发票: 专票 订货: 支持订货 发货: 现货直发 技术支持: 支持 渠道: 一手渠道 客服: 24小时在线 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可...
矽源特ChipSourceTek-PED30D12MT是一款高性能的N通道增强模式电源Mosfet,以其出色的电气特性和广泛的应用领域而备受关注。本文将详细介绍矽源特ChipSourceTek-PED30D12MT的各项技术参数、特性优势以及应用场景,并探讨其在电源管理领域的具体应用。 矽源特ChipSourceTek-PED30D12MT是PDFN3x3-8L封装,30V, 12A的N-Mosfe...