电子元器件WSD3045DN 场效应管 WINSOK 封装DFN3X3-8 批次2023+ WSD3045DN 32265 WINSOK DFN3X3-8 2023+ ￥1.8000元2~99 个 ￥1.5600元100~2999 个 ￥1.4400元>=3000 个 深圳市冠华伟业科技有限公司 5年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 60V40A N沟道 DFN3X3-8 MOS管惠海原厂SGT工艺【散热能力强 ...
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电话:0755-27933516 联系人:石先生/谭小姐/李先生 地址:深圳市宝安区79区宝民二路好运来商务大厦B座 E-mail:sz.shi@163.com 网址:www.szyucan.com 您现在的位置:首页»产品中心»MOS系列产品»单Nmos»单Nmos(DFN3x3-8) 单N MOS(DFN3x3-8) 单N MOS(DFN3x3-8) 尺寸封装图 具有DFN3x3-8 封装 ...
JMTK60N04B 电子元器件 JJW(捷捷微) 封装TO-252-3L 批次23+ ¥ 0.18 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: JJW(捷捷微) 封装: PDFN3x3-8L 批号: 23+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 5V 最大电源电压...
发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 60N02、 小封装场效应管、 国产MOSFET、 贴片MOS管 商品图片 商品参数 品牌: 宇芯微 封装: DFN3X3-8L 电压VDS: 20V 电流ID: 60A VGS: ±12V 内阻RDS(ON): 6mΩ 数量: 850000 批号: 新年份 价格说明 ...
封装 DFN3X3-8 批号 2020+ 数量 21144 FET类型 单N沟道 漏源电压(Vdss) 30 漏极电流(Id) 47 漏源导通电阻(RDS On) 7.4 栅源电压(Vgs) 20 栅极电荷(Qg) 19.2 反向恢复时间 2.2 最大耗散功率 47 配置类型 增强型 工作温度范围 -50°~150° 安装类型 贴片 应用领域 家用电器 可...
封装:PDFN3X3-8L 小封装MOS管 80N03的应用领域: 电池保护负载开关不间断电源 小封装MOS管 80N03的极限参数: (如无特殊说明,TC=25℃) 漏极-源极电压 VDS:30V栅极-源极电压 VGS:±20V漏极电流-连续 ID:80A漏极电流-脉冲 IDM:160A单脉冲雪崩能量 EAS:144.7mJ雪崩电流 IAS:53.8A总耗散功率 PD:43.4W存储...
产品型号封装外形沟道类型漏极电压栅极电压漏极电流导通电阻4.5V导通电阻10V在线购买详情预览 WSD6042DN33 DFN3X3-8L Dual N-Ch 60V ±20 45A 17mΩ 14mΩ 在线购买 WSD4084DN33 DFN3X3-8L Dual N-Ch 40V ±20 35A 17.5mΩ 13.5mΩ 在线购买 WSD4082DN33 DFN3X3-8L Dual N-Ch 40V ±20 14A...
场效应管 HZX AP20N06S封装SOP-8MOS管AP20N06S电子元器件SOP-8 ¥ 1.21 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: XLSEMI 封装: DFN3x3-8 批号: 24+ 数量: 2000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 9.5V ...
封装: TDFN3X3-8L 批号: 23+ 数量: 165256 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 5V 最大电源电压: 8.5V 长度: 8.5mm 宽度: 2.6mm 高度: 2.4mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...