封装:DFN3X3-8L 小封装场效应管 60N02的应用: 电池保护 负载开关 不间断电源 小封装场效应管 60N02的引脚排列图: 小封装场效应管 60N02的极限参数: (如无特殊说明,TC=25℃) 漏极-源极电压 VDS:20V 栅极-源极电压 VGS:±12V 漏极电流-连续 ID:60A 漏极电流-脉冲 IDM:210A 总耗散功率 PD:60W 单脉...
封装 DFN3x3-8 批号 24+ 数量 2000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 100C 最小电源电压 3V 最大电源电压 9.5V 长度 6.2mm 宽度 9.9mm 高度 2.7mm 可售卖地 全国 型号 XL6402 技术参数 品牌: XLSEMI 型号: XL6402 封装: DFN3x3-8 批号: 24+ 数量...
DMP3021SFVWQ-7 单片机/ARM/DSP DIODES 封装DFN3X3-8 批次22+ DMP3021SFVWQ-7 18000 DIODES DFN3X3-8 22+ ¥35.0000元1~99 个 ¥25.0000元100~999 个 ¥9.9990元>=1000 个 深圳市科亚奇科技有限公司 5年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 WNMD2180 电子元器件 Willsemi 封装PDFN3x3-8L 批号19...
封装 DFN3X3-8 批号 2020+ 数量 22365512 FET类型 单N沟道 漏源电压(Vdss) 100 漏极电流(Id) 20 漏源导通电阻(RDS On) 5 栅源电压(Vgs) ±20 栅极电荷(Qg) 8 反向恢复时间 4 最大耗散功率 41 配置类型 增强型 工作温度范围 -50°~150° 安装类型 贴片 应用领域 家用电器 可...
产品型号封装外形沟道类型漏极电压栅极电压漏极电流导通电阻4.5V导通电阻10V在线购买详情预览 WSD3076DN33 DFN3X3-8L N+P 30V/-30V ±20V/±25V 30A/-26A 15V/25V 11V18.5V 在线购买 WSD6034DN33 DFN3X3-8L N+P 60V/-60V ±20 15A/-10A 40mΩ/100mΩ 35mΩ/80mΩ 在线购买 WSD3043DN33 ...
封装/规格:DFN 3x3-8 产品类型: MOS(场效应三极管) 品牌/产地:WINSOK 微硕 三极管类型:NPN 型号PN:WSD3050DN 描述:漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 50A(TC) 栅源极阈值电压 2.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 8.5MΩ 流明 15A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 26W(TC) 类型 N沟道 N沟...
封装 DFN3X3-8 批号 2020+ 数量 22365512 FET类型 单N沟道 漏源电压(Vdss) 30 漏极电流(Id) 18.8 漏源导通电阻(RDS On) 2.2 栅源电压(Vgs) 20 栅极电荷(Qg) 25 反向恢复时间 3 最大耗散功率 45 配置类型 增强型 工作温度范围 -50°~150° 安装类型 贴片 应用领域 家用电器 可...
电话:0755-27933516 联系人:石先生/谭小姐/李先生 地址:深圳市宝安区79区宝民二路好运来商务大厦B座 E-mail:sz.shi@163.com 网址:www.szyucan.com 您现在的位置:首页»产品中心»MOS系列产品»单Nmos»单Nmos(DFN3x3-8) 单N MOS(DFN3x3-8) 单N MOS(DFN3x3-8) 尺寸封装图 具有DFN3x3-8 封装 ...
新恒汇电子股份有限公司是全球唯一的集载带生产与模块封装为一体的集成电路封装测试企业,是中国首家智能卡封装载带生产企业。
封装 DFN3x3-8 批号 23+ 数量 10000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 130C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 8.5V 长度 5.9mm 宽度 3.7mm 高度 2mm 可售卖地 全国 型号 TM 16403 技术参数 品牌: TMI/拓尔微 型号: TM 16403 封装: DFN3x3-8 批号: ...