电子元器件WSD3045DN 场效应管 WINSOK 封装DFN3X3-8 批次2023+ WSD3045DN 32265 WINSOK DFN3X3-8 2023+ ￥1.8000元2~99 个 ￥1.5600元100~2999 个 ￥1.4400元>=3000 个 深圳市冠华伟业科技有限公司 5年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 60V40A N沟道 DFN3X3-8 MOS管惠海原厂SGT工艺【散热能力强 ...
封装 DFN3X3-8 批号 2020+ 数量 22365512 FET类型 单N沟道 漏源电压(Vdss) 100 漏极电流(Id) 12 漏源导通电阻(RDS On) Q1=Q2=6.25 栅源电压(Vgs) ±20 栅极电荷(Qg) 7.9 反向恢复时间 4 最大耗散功率 35 配置类型 增强型 工作温度范围 -50°~150° 安装类型 贴片 应用领域 家...
商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 FDMC3612、 WINSOK、 DFN3X3-8 商品图片 商品参数 品牌: WINSOK 封装: DFN3X3-8 批号: 2020+ 数量: 22365512 FET类型: 单N沟道 漏源电压(Vdss): 100 漏极电流(Id): 12 漏源导通电阻(RDS On): Q1=Q2=6.25 栅源电压(Vgs): ...
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封装/规格:DFN 3x3-8 产品类型: MOS(场效应三极管) 品牌/产地:WINSOK 微硕 三极管类型:NPN 型号PN:WSD3050DN 描述:漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 50A(TC) 栅源极阈值电压 2.5V 流明 250UA 漏源导通电阻 8.5MΩ 流明 15A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 26W(TC) 类型 N沟道 N沟...
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封装 DFN3X3-8 批号 2020+ 数量 21144 FET类型 单N沟道 漏源电压(Vdss) 30 漏极电流(Id) 47 漏源导通电阻(RDS On) 7.4 栅源电压(Vgs) 20 栅极电荷(Qg) 19.2 反向恢复时间 2.2 最大耗散功率 47 配置类型 增强型 工作温度范围 -50°~150° 安装类型 贴片 应用领域 家用电器 可...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 LT4422EFL、 领泰、 PDFN3X3-8L 商品图片 商品参数 品牌: 领泰 封装: PDFN3X3-8L 批号: 23+ 数量: 165256 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 1V ...
封装: DFN3x3-8 批号: 22+ 数量: 3000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 6V 长度: 9mm 宽度: 1.8mm 高度: 1.4mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变...
WSD4066DN封装DFN3x3-8效应MOSFET芯片WSD4066DN封装DFN3x3-8场效应管(MOSFET)风格: WSD4066DN 封装 DFN3x3-8 效应 MOSFET 去购买 收藏 图文详情 本店推荐 图文详情 WSD4066DN封装DFN3x3-8场效应管(MOSFET)全新现货 勝利达 ¥1.8 封装WSD4064DN 元件 WSD4066ADN ¥1.66...