下面我们就来解析一下"20D18 DFN3*3 8L"这个编号,并探讨它所代表的电子元件。 首先,"DFN3*3"很可能是指元件的封装形式。DFN是Dual Flat No-lead的缩写,是一种无引脚封装形式,常用于集成电路的封装。"3*3"则可能指的是封装的尺寸或是引脚的数量和配置。这种封装形式通常用...
在封装方式上，矽源特ChipSourceTek-CST3350M采用了DFN3030-8L封装。这种封装方式不仅减小了元件的体积，还提高了其散热性能，使得Mosfet在高温环境下也能保持稳定的性能。此外，DFN封装还具有优良的电气性能，为Mosfet提供了更好的电气连接。除了以上基本参数和封装方式外，矽源特ChipSourceTek-CST3350M还具有一系列独特...
封装 PDFN3*3 批号 最新批次 数量 30000 产品种类 电子元器件 QQ 630529830 最小工作温度 -10C 最大工作温度 130C 最小电源电压 3.5V 最大电源电压 7V 长度 7mm 宽度 1mm 高度 2.4mm RoHS 是 可售卖地 全国 型号 NP6661BQR 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能...
矽源特ChipSourceTek-CST30P02D是一款高性能的P沟道快速切换MOSFET,其PDFN3*3-8L封装设计使其具有出色的电气性能和紧凑的尺寸,非常适合用于大多数同步降压转换器应用中。在本文中,我们将详细介绍矽源特ChipSourceTek-CST30P02D的主要特点、性能参数、应用领域以及其在电路设计中的优势。 首先,矽源特ChipSourceTek-CS...
矽源特ChipSourceTek-CST15P06D是一款具有出色性能的P沟道快速切换MOSFET,它采用PDFN3*3-8L封装,具备60V、15A的高规格参数。这款MOSFET以其优秀的电气特性和可靠的品质,为众多同步降压转换器应用提供了理想的解决方案。 首先,矽源特ChipSourceTek-CST15P06D的电气性能十分出色。它拥有-60V的BVDSS(漏源击穿电压)和70...
封装 PDFN3*3-8L 批号 2022+ 数量 10080 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 130C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 8V 长度 3.6mm 宽度 9.3mm 高度 2.1mm 可售卖地 全国 型号 JA3011 深圳元盛达主产品线有: 英集芯/南芯/赛芯微 电源管理芯片 龙腾/冠禹...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品图片 商品参数 品牌: Natlinear/南麟 漏源电压(Vdss): 30V/-30V 连续漏极电流(Id): 15A/-10A 批号: 2023 封装: PDFN3*3-8L 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40 最大工作...
封装: DFN3*3-8L 商品目录: 场效应管(MOSFET) 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.3mΩ@10V 批号: 2022 数量: 10000 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格...
矽源特ChipSourceTek-CST30P02D是PDFN3*3-8L封装,20V,30A的P-Mosfet。矽源特ChipSourceTek-CST30P02D是BVDSS=-20V,RDSON=10mΩ,ID=-30A的P沟道快速切换Mosfet。提供PDFN3333-8L封装。 矽源特ChipSourceTek-CST30P02D是BVDSS=-20V,RDSON=10mΩ,ID=-30A的P沟道快速切换Mosfet。提供PDFN3333-8L封装。