2007年，有研究者将一段无源波导集成到DFB激光器后，形成了无源反馈外腔，从而提出了无源反馈激光器（PassiveFeedbackLaser，PFL）的概念。这一创新设计首次展示了具有PPR谐振峰的响应曲线，并成功将40mA下的调制带宽提升至29GHz。此后，PFL的带宽持续优化，通过精心设计，带宽甚至可达37GHz@70mA和34GHz@60mA。此外，...
The growth characteristics on corrugated substrates were investigated for the application to 1.3 μm InGaAsP/InP distributed feedback (DFB) laser diodes. These devices exhibited extremely low threshold currents of 3.8 mA in CW mode at 20 ° C for a normal cavity length of 300 μm. The typical...
DFB( Distributed Feedback Laser)，即分布式反馈激光器，其不同之处是内置了布拉格光栅（Bragg Grating），属于侧面发射的半导体激光器。目前，DFB激光器主要以半导体材料为介质，包括锑化镓(GaSb）、砷化镓（GaAs）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。DFB激光器最大特点是具有非常好的单色性（即光谱纯度）...
DFB,Distributed Feedback Laser,即分布式反馈激光器。DFB激光器主要以半导体材料为介质,包括锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。DFB激光器具有非常好的单色性(即光谱纯度),它的线宽普遍可以做到1MHz以内,以及具有非常高的边模抑制比(SMSR),可高达40-50dB以上。
一种高性能DFB激光器结构,包括InP基底,在所述InP基底上从下而上依次采用MOCVD沉积的N?InP缓冲层、N?AlInAs外延层、N?AlGaInAs波导层、AlGaInAsMQW、P?AlGaInAs波导层、P?AlInAs限制层、P?InP限制层、光栅层、InGaAsP势垒过度层、InGaAs欧姆接触层;在所述N?InP缓冲层与所述N?AlInAs外延层中间插入一层N?InAlAsP...
IQE launches industry first 6" InP DFB Laser Platform for AI and data centre applications IQE plc (AIM: IQE, "IQE" or the "Group"),the leading supplier of compound semiconductor wafer products and advanced material solutions to the global semiconductor industry, is pleasedto announce the industr...
宽带RF直调DFB激光器Inno-8102 DFB是采用InGaAs/InP制作的MQW DFB激光器组件，集成了激光器组件、光隔离器，TEC，热敏电阻、监控光电二极管和宽带直流偏置，采用气密性7-PIN封装。Broadband RF directly modulated DFB laser Inno-8102 DFB is made of InGaAs/InP MQW DFB laser module, integrated laser assembly, ...
DFB,Distributed Feedback Laser,即分布式反馈激光器。DFB激光器主要以半导体材料为介质,包括锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。DFB激光器具有非常好的单色性(即光谱纯度),它的线宽普遍可以做到1MHz以内,以及具有非常高的边模抑制比(SMSR),可高达40-50dB以上。DFB的芯片分为P极和N极,...
Broadband RF Direct-tuned DFB Laser 宽带RF直调DFB激光器Inno-8102 DFB是采用InGaAs/InP制作的MQW DFB激光器组件,集成了激光器组件、光隔离器,TEC,热敏电阻、监控光电二极管和宽带直流偏置,采用气密性7-PIN封装。 〖最大值额定参数Absolute maximum ratings〗 ...