SDRAM有16个或8个内部银行,每组4个银行(x4和x8)或每组2个银行(x16)。该器件具有差分时钟输入操作(CK_t和CK_c),双向差分数据频闪(DQS_t和DQS_c)和支持终止数据频闪(仅支持x8) (TDQS_t和TDQS_c)。SDRAM有一个最大的下电模式,最低的功耗,没有内部刷新活动,是JEDEC JESD-79-4兼容的。 特性 电力供应 V...
模式寄存器设置 包括MR0、MR1、MR2、MR3等，它们分别对应不同的功能。MR0 设置了写恢复(Write Recovery)的最小时钟周期时间，以及与tRP共同确定tDAL的参数值。该参数值必须大于或等于最小的WRmin值。MR1 的设置影响DQ信号、DQS_ts和DQS_cs的输出状态。A12信号线控制DLL的状态，其中“0”为禁用状态。
DQS为DQ采样pin脚，是DDR pin，其频率为1600MHz，数据频率为3200MHz。DM为DQ屏蔽pin脚，与CKT时钟频率相同，是DDR4接口中时钟频率最快的pin脚之一。DDR4有bank group的概念，每个bank group具有独立的IO gating，读写操作互不影响。在DDR4上电时，需要配置7个模式寄存器（MR0到MR6），以实现不同的...
DQS0_c-DQS8_cSDRAM data strobes (negative line of differential pair)EVENT_nSPD signals a thermal...
DDR的重要时序参数包括tRDC、CL、tAC，分别代表RAS至CAS延迟、CAS潜伏期和时钟触发后的访问时间。tRDC和CL以时钟周期数表示，tAC则以信号触发后到数据输出的时间表示。突发连续读取模式允许在指定起始列地址与突发长度后，自动进行后续数据读取，仅需控制好突发读取命令间隔即可实现连续传输。数据掩码（DQM）...
check bitsfile:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\clip_image3.pngDQSO t-DQS8...
DQS」,DQS_cmSU」, DQSU_c,DQSL_t, DQSL-C Input\Output 数宿选通信号:输入时与写叙潜同时有效,输出时与谡纹掲同时有效。与渎敘据时边沿对齐 的,但是跳支沿位于写畝潜的中心。在P6系统中,DQSL对应到DQLlH; DQSU对应到DQU47;DQS_r, DQSL.c与DQSV_t分別与DQS_c, DQSL_c,与DQSU」,对应为差...
DQS,DQS_cmSU,DQSU_c.DQSL_ 8、t, DQSL-CInputOutput数宿选通信号:输入时与写叙潜同时有效,输出时与谡纹掲同时有效。与渎敘据时边沿对齐的,但是 跳支沿位于写畝潜的中心。在P6系统中,DQSL对应到DQL1H: DQSU对应到DQU47; DQS_r, DQSL.c与DQSV_t分別与DQS_c, DQSL_c,与DQSU,对应为差分信号...
TDQS_t,TDQS_c Output 终端数据选通:TDQS_t\TDQS_c仅在x8系统中应用。当MR1寄存器中的A11为高电平时,DRAM就会使能相似终端阻抗(same termination resistance)功能,同时TDQS_c与TDQS_t将会应用与DQS_t\DQS_c。当MR1寄存器中的A11为低电平时,DM\DBI\TDQS将会作为数据掩码或数据总线翻转功能使用,且A11、A12、...
海思技术 地址: 市龙岗区坂田 总部办公楼 :518129 : http:/ /cn/ 客户服务邮箱: sup Hi3559A/C V100 DDR4 参数配置方法 前 言 前 言 产品版本 与本文档相对应的产品版本如下。 产品名称 产品版本 Hi3559A V100 Hi3559C V100 未有特殊说明,Hi3559CV100 与 Hi3559AV100 完全一致。 读者对象 本文档(本...