1.通过触发到的波形,利用图形触发(Visual Trigger)选定大体的逻辑区域(in或者out),Kesight示波器是InfiniiScan; 2.通过看读和写的单波形,会发现,读和写DQS的前两个高低电平的宽度是不一样的,使用示波器的宽度(width)触发功能,来触发DQS。 注1:泰克Visual Trigger和是德InfiniiScan都是要单独购买的,这个钱千万不...
在过往 DDR3 和 DDR4总线上,主要采用 DQS 前导位或者 DQS 和 DQ 的相位差进行分离。 在 DDR5总线上,DQS 和 DQ 在读写操作时没有相位差,DQS 的读写操作的前导码也是相同的, 因此在 DDR5总线上的读写分离是一个难点。 当前Keysight 根据 JEDEC DDR5 规范真值表,在读和写操作时,CA4 有差异,如下图红色...
以tWTR_S这个时序为例,第一行CK_c和CK_t代表了时钟信号,其中CK_t是真实时钟信号,CK_c则是一个相位差分时钟信号,用于辅助信号稳定性;第二行命令信号,记载了时钟信号传输的命令,tWTR_S意为在不同Bank中从写入切换到读取,所以命令行中有WR和RD命令,中间都是等待周期的校验信号;第三行地址信号,BG代表Bank Group...
当在控制器中启用写入均衡功能时，会执行以下步骤：通过写入模式寄存器MR1将位7设置为1，使DRAM进入写入均衡模式。在此模式下，DRAM将使用DQS信号来采样时钟CK，并通过DQ总线将采样结果返回给控制器。控制器发送一系列DQS脉冲。DRAM在均衡模式下，会利用DQS对CK进行采样，并通过DQ总线将采样结果（1或0）反馈给控制器。
(3)为了减少过孔产生的Stub,强烈建议在同一层中优先布DQ, DQS,CLK等信号。如果所有的BGA都在top层,data线尽量的靠近bottom层走,而地址,控制线则可以靠近top层走;当BGA在top层时,越靠近bottom层,过孔产生的stub越短,信号质量越好。 走线线宽和线间距
为了提升信号质量, 从DDR2开始将DQ, DM, DQS/DQS#的Termination电阻内置到Controller和DRAM中, 称之为ODT (On Die Termination)。Clock和ADD/CMD/CTRL信号仍需要使用外接的Termination电阻。 图8 On Die Termination 在DRAM中,On-Die Termination的等效电阻值通过Mode Register (MR)来设置,ODT的精度通过参考电阻RZQ...
(3)为了减少过孔产生的Stub,强烈建议在同一层中优先布DQ, DQS,CLK等信号。如果所有的BGA都在top层,data线尽量的靠近bottom层走,而地址,控制线则可以靠近top层走;当BGA在top层时,越靠近bottom层,过孔产生的stub越短,信号质量越好。 走线线宽和线间距
在DQS 读写前导位,猝发第一个 bit 等等均有不同的效应和表现。此外考虑到存储电路在设计上不同于串行电路存在较多的阻抗不匹配,因此反射问题或干扰带来的 ISI 也会更严重。 图5 DDR5 在接收端采用更多的类似高速串行总线的信号处理 因此在接收侧速率大于 3600M T/s 时采用类似高速串行电路和标准总线中已经成熟...
在DQS 读写前导位,猝发第一个 bit 等等均有不同的效应和表现。此外考虑到存储电路在设计上不同于串行电路存在较多的阻抗不匹配,因此反射问题或干扰带来的 ISI 也会更严重。 图5 DDR5 在接收端采用更多的类似高速串行总线的信号处理 因此在接收侧速率大于 3600M T/s 时采用类似高速串行电路和标准总线中已经成熟...
在 DDR5总线上，DQS 和 DQ 在读写操作时没有相位差，DQS 的读写操作的前导码也是相同的， 因此在 ...