CS_n:片选信号引脚,用于选择当前操作的DDR4内存芯片。 ACT_n:激活命令输入引脚,当其为低电平时,表示DDR4内存芯片处于激活状态,可以接受读写命令。 RAS_n/A16、CAS_n/A15、WE_n/A14:这些引脚在ACT_n为低电平时作为行地址输入引脚;在ACT_n为高电平时,则作为命令输入引脚,分别对应行选通(RAS)、列选通(CAS)...
ACT_n:激活输入命令,与CS_n、RAS_n/A16、CAS_n/A15和WE_n/A14一起输入时表示激活命令。 RAS_n/A16、CAS_n/A15和WE_n/A14:这些引脚具有复用功能,在激活命令中作为行地址的一部分,在其他命令中则作为控制信号。 BG0-BG1:存储体组(Bank Group)输入信号,用于选择激活、读取、写入或预充电命令应用于哪个Bank...
.c0_ddr4_cke (c0_ddr4_cke ), .c0_ddr4_cs_n (c0_ddr4_cs_n ), .c0_ddr4_odt (c0_ddr4_odt ), .c0_ddr4_reset_n (c0_ddr4_reset_n_int ), .c0_ddr4_dm_dbi_n (c0_ddr4_dm_dbi_n ), .c0_ddr4_dq (c0_ddr4_dq ), .c0_ddr4_dqs_t (c0_ddr4_dqs_t ), .c0_ddr...
c0_ddr4_reset_n为异步复位信号，当其为低电平时复位生效。正常运行时，该信号必须保持高电平。c0_ddr4_cs_n，即chip select，表示芯片选中。高电平时，所有命令将被屏蔽。c0_ddr4_odt为终端电阻模式控制信号。当其高电平时，表示支持DDR4 SDRAM内部的终端电阻。c0_ddr4_act_n为命令输入信号，代表一个激活命...
1)Address/control 是指: cs_n, ras_n (a16), cas_n (a15), we_n (a14), ba, bg, ck, cke, a, odt, act_n, and parity 2)FPGA BANK 有三个Byte lane按照T0\T1\T2\T3进行区分,每个lane包括N0-N12 共13个管脚,每个lane分成U和L两组 (nibble)。
[0 : 0] c0_ddr4_cke.c0_ddr4_cs_n(ddr4_cs_n ),// output wire [0 : 0] c0_ddr4_cs_n.c0_ddr4_dm_dbi_n(ddr4_dm_dbi_n ),// inout wire [1 : 0] c0_ddr4_dm_dbi_n.c0_ddr4_dq(ddr4_dq ),// inout wire [15 : 0] c0_ddr4_dq.c0_ddr4_dqs_c(ddr4_dqs_c ),...
output [0:0] c0_ddr4_cs_n , output [0:0] c0_ddr4_ck_t , output [0:0] c0_ddr4_ck_c , output c0_ddr4_reset_n , inout [7:0] c0_ddr4_dm_dbi_n, inout [63:0] c0_ddr4_dq , inout [7:0] c0_ddr4_dqs_c ,
ACT_nInput激活输入命令：ACT_n定义为与CS_n一起输入的激活命令。DDR4 SDRAM使用ACT_n、CS_n、RAS_...
DDR4新增了许多功能,这对于我们之前信手拈来的内存PCB设计又带来了一些新的挑战,虽然说之前的一些规范可以用,但还是有很多不一样的地方,如果依然按照之前的设计方法来做,说明你还不了解DDR4,一准入坑。今天咱们就来扒一扒它的新功能和PCB设计上的一些注意事项。
早期的RAM拥有控制信号,如RAS# (行地址选择低有效)和CAS# (列地址选择低有效),选择执行的行和列寻址操作。其它DRAM 控制信号包括用来选择写入或读取操作的WE# (写启动低有效)、用来选择DRAM的CS#(芯片选择低有效)及OE# (输出启动低有效)。早期的DRAM拥有异步控制信号,并有各种定时规范,涵盖了其顺序和时间关系,...