2.2 片内端接-ODT ODT(On-Die Termination)是DDR3的一个重要特性,它为DDR3颗粒提供芯片内部的末端匹配,而不需要用户在芯片外面额外端接电阻,然而并不是所有的管脚都具备ODT功能,ODT所覆盖的管脚范围是DQ,DQS,DM信号。因此,CK以及AC信号在硬件设计时仍然需要在芯片外面增加末端匹配电阻。 DDR3 ODT的匹配电阻RTT有...
当进行数据写入时,对于DDR3来说是输入,中心与与写数据对齐。 由DQ信号发出端发出DQS,信号接收端根据DQS的上下沿来触发数据的接收,简单的来说,如果是从内存中读取信号,那么主板北桥(内存控制器MIG)根据内存发出的DQS来判断什么时候接收读取出来的数据,如果是写操作的话正好相反,内存根据MIG发出的DQS来触发数据的接收。
通过 OCD 操作来减少 DQ 、 DQS的倾斜从而提高信号的完整性及控制电压来提高信号品质。具体调校如下图...
DQS,差分信号,数据选通信号,与读数据边沿对齐,与写数据中心对齐 CK,差分信号,ddr3 输入时钟,所有的控制、地址信号都以 CK 交叉点为采样点,DQS 信号也是基于此信号得到 时间参数 tRCD,行选通指令到列选通指令的延迟,以 CK 为计量单位,指行激活指令到读写指令的最小间隔 CL,列选通指令潜伏期延迟,以 CK 为计...
DDR3的设计有着严格等长要求,归结起来分为两类(以64位的DDR3为例): 数据 (DQ,DQS,DQM):组内等长,误差控制在20MIL以内,组间不需要考虑等长;地址、控制、时钟信号:地址、控制信号以时钟作参考,误差控制在100MIL以内,Address、Control与CLK归为一组,因为Address、Control是以CLK的下降沿触发的由DDR控制器输出,DDR...
DDR3的设计有着严格等长要求,归结起来分为两类(以64位的DDR3为例): 数据 (DQ,DQS,DQM):组内等长,误差控制在20MIL以内,组间不需要考虑等长;地址、控制、时钟信号:地址、控制信号以时钟作参考,误差控制在100MIL以内,Address、Control与CLK归为一组,因为Address、Control是以CLK的下降沿触发的由DDR控制器输出,DDR...
c,phy时钟引脚,推荐放在一个字节组的dqs引脚。 d,当DDR3速率低于800Mhz时,可以设置internal Vref,释放Vref引脚作为普通io口使用。 e,其余管脚分配,7系列fpga需要查看UG475来看哪些bank可以用作memory接口,一般一个bank放数据组(对于32位ddr3,有4个字节组,一个字节组为8+2+1),一个bank放地址和控制引脚。需要注...
Write Leveling的功能是调整DRAM颗粒端DQS信号和CLK信号边沿对齐;调节过程描述:DDR控制器不停地调整DQS信号相对于CLK的延迟,DRAM芯片在每个DQS上升沿采样CLK管脚上的时钟信号,如果采样值一直低,则会将所有的DQ[n]保持为低电平来告知DDR控制器,tDQSS(DQS, DQS# rising edge to CK, CK#rising edge,在标准中要求为...
FPGA端挂载DDR时,对FPGA引脚的约束和选择并不是随意的,有一定的约束规则,一般可以通过利用vivado工具中的pin assignment去选择合适的位置辅助原理图设计。 2、DDR3约束规则 XILINX 7series FPGA支持高性能存储接口,对于DDR来说分为数据(DQ,DQS,DM)和控制(地址和控制信号)两类引脚,在和FPGA互联时,DDR数据部分以字节...
Write Leveling的功能是调整DRAM颗粒端DQS信号和CLK信号边沿对齐;调节过程描述:DDR控制器不停地调整DQS信号相对于CLK的延迟,DRAM芯片在每个DQS上升沿采样CLK管脚上的时钟信号,如果采样值一直低,则会将所有的DQ[n]保持为低电平来告知DDR控制器,tDQSS(DQS, DQS# rising edge to CK, CK#rising edge,在标准中要求为...