VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给内核供电。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用,有的芯片还有专门的VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可。 参考电源Vref要求跟随VDDQ,并且Vref=VDDQ/2,所以可以使用电源芯片提供,也可以采用电阻分压得到。由于Vref一般电流较小,在几个mA~几十mA...
VDDQ是一种高电流电源DDR芯片的内核、I/O和存储器逻辑供电,而Vref是一种低电流、精确的参考电压,它在逻辑高电平(1)和逻辑低电平(0)之间提供一个阈值,以适应I/O电源电压的变化。通过提供一个适应电源电压的精确阈值,VREF实现了比固定阈值和终端和驱动正常变化情况下更大的噪声裕度。 VTT是改善信号质量,最常见的...
VDDQ是一种高电流电源DDR芯片的内核、I/O和存储器逻辑供电,而Vref是一种低电流、精确的参考电压,它在逻辑高电平(1)和逻辑低电平(0)之间提供一个阈值,以适应I/O电源电压的变化。通过提供一个适应电源电压的精确阈值,VREF实现了比固定阈值和终端和驱动正常变化情况下更大的噪声裕度。 VTT是改善信号质量,最常见的...
VDDQ是一种高电流电源DDR芯片的内核、I/O和存储器逻辑供电,而Vref是一种低电流、精确的参考电压,它在逻辑高电平(1)和逻辑低电平(0)之间提供一个阈值,以适应I/O电源电压的变化。通过提供一个适应电源电压的精确阈值,VREF实现了比固定阈值和终端和驱动正常变化情况下更大的噪声裕度。 VTT是改善信号质量,最常见的...
一、DDR电源简介 1. 电源 DDR的电源可以分为三类: a、主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。 有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可。电
Voltage(VDDQ):存储芯片(颗粒)的输出缓冲供电电压。 Device Width:颗粒位宽,常见为4/8/16bit。一个Memory Array中由行地址和列地址的交叉选中一个位,若2个Array叠加在一起,就同时选中了2个Bit,位宽是X2。若4个Array叠加到一起,就能够同时选中4个Bit,位宽则是X4。也就是说,对一个X4位宽的DDR 颗粒,如果给...
电源引脚VDD和VDDQ:均采用3.3V供电。 3 DDR4电路设计 今天使用的DDR颗粒为镁光的MT40A256M16GE-075E(DDR 的厂家有三星、镁光、海力士、东芝,国产厂家有长鑫、紫光),数据位宽为16bit,存储的容量为4Gbit(容量计算请参考:硬件电路设计之DDR电路设计(1)),支持最高的时钟频率为1.333 GHz,供电范围1.14V-1.26V,封装...
SSTL最大的特点是需要终端匹配电阻,也叫终端终结电阻,上拉到VTT(1/2VDDQ)。这个短接电阻最大的作用是为了信号完整性,特别是在1拖多的Fly-by走线拓扑下,还能增强驱动能力。 Bank 以下图为例,一个Bank中包含若干个Array,Array相当于一个表单,选中“行地址”和“列地址”后,表单中的一个单元格就被选中,这个单元...
Voltage(VDDQ)- 存储芯片(颗粒)的输出缓冲供电电压。 Device Width- 颗粒位宽,常见为4/8/16bit。一个Memory Array中由行地址和列地址的交叉选中一个位,若2个Array叠加在一起,就同时选中了2个Bit,位宽是X2。若4个Array叠加到一起,就能够同时选中4个Bit,位宽则是X4。也就是说,对一个X4位宽的DDR 颗粒,如果...
MAX1917还可用于通过将其参考电压连接到DDR引脚,从5V或12V输入源产生VDDQ电源电压。图1显示了12A输出电流的原理图。 图1所示 MAX1917用于VDDQ电源电压应用 MAX1917可用于输出电压在1.0V及以上的其他非跟踪应用,例如处理器核心电压和DSP核心电压。MAX1917的优点之一是快速瞬态响应(在一个切换周期内响应阶跃负载变化)。