VDDQ是一种高电流电源DDR芯片的内核、I/O和存储器逻辑供电,而Vref是一种低电流、精确的参考电压,它在逻辑高电平(1)和逻辑低电平(0)之间提供一个阈值,以适应I/O电源电压的变化。通过提供一个适应电源电压的精确阈值,VREF实现了比固定阈值和终端和驱动正常变化情况下更大的噪声裕度。 VTT是改善信号质量,最常见的...
由于DDR的电流一般都比较大,所以PCB设计时,如果有一个完整的电源平面铺到管脚上,是最理想的状态,并且在电源入口加大电容储能,每个管脚上加一个100nF~10nF的小电容滤波。 B.参考电源Vref,参考电源Vref要求跟随VDDQ,并且Vref=VDDQ/2,所以可以使用电源芯片提供,也可以采用电阻分压的方式得到。由于Vref一般电流较小,在...
主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给10 buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中 都是把VDDQ和VDD合成一个电源使 用。有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可。 电源设计时,需要考 虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间,单 调性等。 电源电压的要求一般 在±5%以内。 电...
主电源VDD和VDDQ, 主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可。 电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间,单调性等。 电源电压的要求一般在±5%...
Voltage(VDDQ)- 存储芯片(颗粒)的输出缓冲供电电压。 Device Width- 颗粒位宽,常见为4/8/16bit。一个Memory Array中由行地址和列地址的交叉选中一个位,若2个Array叠加在一起,就同时选中了2个Bit,位宽是X2。若4个Array叠加到一起,就能够同时选中4个Bit,位宽则是X4。也就是说,对一个X4位宽的DDR 颗粒,如果...
对于SSTL-3来说,VDDQ=3.3V,VTT的取值是VDDQ的0.45倍,它被设定为1.5V。其他版本的SSTL都将VTT设定为VDDQ的0.5倍。 接收器在判断接收到的信号是高电平还是低电平的时候需要一个参考电压VREF,VREF的值和VTT的值是相同的。只要VIN电压高于VREF某个电压值即可判定输入为1,VIN电压低于VREF某个电压值即可判定输入为0。
3.1 VTT技术VTT，作为DDR的地址线、控制线等信号的上拉电源，扮演着至关重要的角色。其上拉电阻约为50Ω，与VDDQ紧密相关，且需专用电源同步供给。在Fly-by拓扑中，VTT不仅提供电流，还增强DDR信号线的驱动能力。DDR接收器采用比较器设计，其中一端连接VREF，另一端则接收信号。例如，在地址线A2上，当VTT上拉时...
为了符合DDR的要求并保证最优的性能,VTT和VREF需要在电压、温度和噪声容限上进行严密的控制以便跟踪1/2 VDDQ。 在实际电路中,对于VREF的电压采取电阻分压的方式取得,如下图所示: 其中电容为去耦电容。 对于电源连接电路的疑问: 首先对图中的几个参数进行说明: VDDM是IMX233中的电源管理模块引脚,作用是给DDR SDRAM...
4.主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO 5.buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可。 6.电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间,单调性等。 7.电源电压的要求一般在±5%以内。