模式寄存器时序 Mode Register Timing 通过SDRAM 的 7 个模式寄存器,可以对 SDRAM 的特性,功能以及设置进行编程。这些寄存器本身通过 MRS 命令编辑。模式寄存器一般在初始化期间进行设定,但也可以在后续正常工作期间进行修改。模式寄存器设置有下列两个时序参数: 1、tMRD Mode Register Set command cycle time MRS 命令周...
tRCD Timing tRTP Timing 前一篇对DDR有了简单介绍,有了初步了解后,介绍DDR Timing相关参数就容易了。 tRRD Timing RRD(Row to Row Delay,active to active command period time,切换行的延迟)一般指切换行所需要的时间;如图1 tRRD_S:S(Short),指的是不同Bank group切换所需要的时间; tRRD_L:L(Long),指的...
上述的 DRAM Timing 中的一部分参数可以编程设定,例如 tCAS、tAL、Burst Length 等。这些参数通常是在 Host 初始化时,通过 Controller 发起 Load Mode Register Command 写入到 DRAM 的 Mode Register 中。DRAM 完成初始化后,就会按照设定的参数运行。 五.性能分析 在学习完DDR的基本操作和时序参数之后,我们就看看...
DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等,将其值设为“Menual”(视BIOS的不同可能的选项有:On/Off或Enable/Disable),如果要调整内存时序,应该先打开手动设置,之后会自动出现详细的时序参数列表:
DDR 标准中有大量的时序参数,但是当您使用 DDR4 SDRAM 时,您经常会发现自己比其他人更频繁地重新访问或阅读少数时序参数。因此,在本文中,我们将通过在命令上下文中查看这些频繁出现的时序参数来检查它们。 这些时间参数很难记住,它们往往会从你的脑海中溜走。随附的文章 Timing Parameter Cheat Sheet 可以作为参考,以...
refresh 相关timing参数 1、tREFW(refresh window):所有的DRAM device都有一个retention time(记忆时间),超过这个时间数据会有误,一般是32/64ms,这个时间窗口内必须把所有row都refresh一次; 2、tREFC(refresh command):执行一个refresh command需要的时间; ...
1 在BIOS中打开手动设置。2 在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。3 BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。4 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，...
tRCD:全称RAS# to CAS# Delay,表示行寻址到列寻址延迟时间,该值是“3-4-4-8”中的第二个参数,即第一个4, 七、tRP tRP:全称Row Precharge Timing,表示内存行地址控制器预充电时间,tRP用来设定在另一行能被激活之前,RAS需要的充电时间,tRP参数设置时间过长会导致所有的行激活延迟过长,设为2可减少预充电时间...