Memory on-die termination (ODT) setting:设置存储器 ODT 的值。 Memory CAS latency setting:设置从读命令到从存储器中输出第 1 个数据之间的延时时钟周期数。 Memory Additive CAS latency setting:附加 CAS 延迟设置。 ③ Memory Timing Parameters Memory initialization time at power- -up (tINIT):最小存储...
Now we can study the detailed definition of various timing parameters. CAS Latency (CL): CAS Latency (Column Access Strobe Latency), also known as "Access Time," is the most important memory parameter and is the first of the series of numbers. It is the delay time between the moment a ...
交互时序 //Interconnect timing 时序参数 //Timing parameters 频率比 // Frequency ratio 功能// Function 信号位宽自不必说,MC 和 PHY 有效信号的位宽必须相等,对于一些位宽不匹配的信号,需要确保对功能不会有影响。 交互时序指的 MC 和 PHY 之间发送信号的时序,和接收信号时的 setup 和 hold 时序需求。 第一...
通用DRAM存储器访问协议又可以对DRAM存储器系统进行抽象性能分析,然后可以广泛地应用于不同的存储器系统,并在交叉比较中保持相关性。 1.1.2 Summary of Timing Parameters Table 1‑1 Summary of timing parameters used in a generic DRAM-access protocol Table 1‑1总结了用于检验基本DRAM访问协议的基本时序参数...
③ Memory Timing Parameters Memory initialization time at power- -up (tINIT):最小存储器初始化时间。 Load mode register command period (tMRD):最小加载模式寄存器命令周期。 Active to precharge time (tRAS):激活到预充电的最小时间。 Active to read/write time (tRCD):激活到读-写的最小时间。
(2)Memory Parameters和Memory Timing 对于Memory Parameters和Memory Timing,当在IP核配置页面左方library中,选定DDR型号(如本文MICRON MT41K256M16HA),点击Apply,即实现具体DDR器件和参数匹配,无需再设置,如下图。 (3)Board Settings Board Settings:Use Altera’s default settings,保持默认即可。
在write leveling模式下,仅RTT_nom可用。在写模式下,可以使能RTT_wr来动态改变ODT而不需要重新设置MR寄存器。RTT_nom和RTT_wr间的切换和时序要求参见DDR3标准的5.3 dynamic ODT 一节,以及该节的Table 16 — Latencies and timing parameters relevant for Dynamic ODT。
The x8 device has a 1KB page size which can be found in the Addressing table previously referenced. Checking the Electrical Characteristics and AC Timing Parameters table the tFAW value can be determined based on the page size value. • tFAW = 25ns in this example for a 1KB page size. ...
Programmable memory timing parameters Byte-level writing through data mask signals The DDR SDRAM Controller - Pipelined is available as an IPexpress user configurable IP core, which allows the configuration of the IP and generation of a netlist and simulation file for use in designs. Please note ...
在write leveling模式下,仅RTT_nom可用。在写模式下,可以使能RTT_wr来动态改变ODT而不需要重新设置MR寄存器。RTT_nom和RTT_wr间的切换和时序要求参见DDR3标准的5.3 dynamic ODT 一节,以及该节的Table 16 — Latencies and timing parameters relevant for Dynamic ODT。