iMC 大家都知道现在北桥没有了,又回到CPU里面去了,所以这个内存控制器也回到CPU里面去了,成为一个集成的模块,叫做iMC,即integrated Memory Controller。 它的功能没有大的变化,只是上游的总线协议变来变去。 --- 一时想不起来这块还有什么可以写的了,大家可以提醒一下。 想到的FB DIMM,但是感觉写着没啥 意思,...
The Rambus DDR4 controller maximizes memory bus efficiency via Look-Ahead command processing, bank management, auto-precharge and additive latency support. The core is DFI compatible and supports a range of interfaces to user logic. The Rambus DDR4 controller can be paired with 3rd-party or cust...
到现在为止,看起来PCM是一个超级好的东西,兼顾了DRAM和Flash的优势,可以把Memory和Storage统一替换掉。然而现在还有一些问题导致不它能商用: endurance,就是写入次数,内存的写入很频繁的,但PCM有写入次数的限制。写次数多了就坏掉了,直接做内存目然还不行。 容量问题,不能做内存做存储怎么样?残念的是,它做存储的...
类似地,在memory controller层面,我们需要将physical address映射为对DRAM chip中具体的位置的访问,通过将bank映射到物理地址的相对低位(相对于row),可以使得对连续地址的访存请求被映射到不同的bank。 物理地址的bank映射 审核编辑:汤梓红
简介:DDR的Controller、Channel、Chip、Rank、Bank、Row、Column、Sided 1.概览 先从半导体生产开始,生产出来还没切割的叫晶圆(wafer)。切割出来还没封装的叫裸die(bare die)。封装好的叫颗粒(component)。做成内存条后叫模组(module)。下文我们也会按这样的称呼去区分。
在进行数据的读写前,Controller 需要先发送 Row Active Command,打开 DRAM Memory Array 中的指定的 Row。Row Active Command 的时序如下图所示: tRCD:RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间。 Row Active Command 通过地址总线指明需要打开某一个 Bank 的某一个 Row。DRAM 在接收到该 Comma...
DDR MEMORY CONTROLLERPROBLEM TO BE SOLVED: To avoid the competition of DDR (Double Data Rate) commands between a plurality of DDR command columns by a simple circuit configuration.SOMEYA TOSHIAKI染谷 敏昭
在8086时代，内存与CPU的连接方式较为直接，仅通过三类控制线实现连接：地址总线、数据总线和控制总线。在这些线路上，地址信息与数据信息交织，形成一种高效的传输方式。地址总线为20根，数据总线为16根，其中16根数据总线复用了地址总线的前16根，以实现数据的并行传输。控制总线则负责指示当前操作是读还是...
而另一方面，模块的复杂度增加，功能细化，促使分解为多个更小的模块，以增强系统灵活性与效率。在8086架构中，CPU直接集成内存控制器，访问内存通过控制总线、数据总线与地址总线实现。CPU执行load指令时，控制总线置为读状态，地址总线提供内存地址，数据总线传输数据。整体设计简洁，CPU与内存控制器集成，...
DRAM,即动态随机访问存储器,dynamical random access memory. 这里的动态是指它存储数据的单元是不稳定的,只能存一小会儿就得刷新一下,不然数据就没了,对,只需要不到一秒钟数据就没了,需要在它消失掉之前加电刷新才能保持。 大家可能知道,DRAM的存储介质是一个电容。