假如JEDEC放宽对HBM4内存的高度限制，内存厂商无需着急键合技术的飞跃。如果封装厚度为775微米，使用现有的键合技术如引线键合、倒装芯片键合和硅通孔（TSV）键合等就可以充分实现16层DRAM堆叠HBM4。毕竟解决当下市场竞争问题还是必要的。并且考虑到混合键合的投资成本巨大，存储器公司很可能将重点放在升级现有键合技术上。...
为了适配近两年人工智能热浪需求,存储新技术革新步伐加速,DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期;HBM加速迈进,HBM3/HBM3e持续突破,有望带动存储市场迸发新的活力。 一)2024是DRAM技术迸发活力的一年 从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片,到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续,再到今年跃升主流的DDR5,和即...
对于像A64FX这样的超算芯片，其4个HBM接口意味着最多只能支持4个HBM堆栈封装，从而使得单颗芯片的内存容量上限为32GByte。然而，在消费市场上，普通PC通常需要堆叠超过32GByte的内存来满足需求，这显然超出了HBM技术的容量范围。此外，服务器主板上提供了大量的可扩展内存插槽，某些DDR4/5 DIMMs内存颗粒也在采用DRAM ...
为了适配近两年人工智能热浪需求,存储新技术革新步伐加速,DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期;HBM加速迈进,HBM3/HBM3e持续突破,有望带动存储市场迸发新的活力。 一 2024是DRAM技术迸发活力的一年 从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片,到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续,再到今年跃升主流的DDR5,和即...
迈过2023年的经济逆风行业下行周期,2024年存储市场起势,存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求,存储新技术革新步伐加速,DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期;HBM加速迈进,HBM3/HBM3e持续突破,有望带动存储市场迸发新的活力。 一、2024是DRAM技术迸发活力的一年 ...
据TrendForce集邦咨询研究显示,2023年四季度三星(Samsung)营收高达79.5亿美元,季增幅度逾五成,主要受惠于1alpha nm DDR5出货拉升,使得Server DRAM的出货位元季增超过60%。SK海力士(SK hynix),虽然出货位元季增仅1~3%,然持续受惠于HBM、DDR5的价格优势,以及来自于高容量Server DRAM模组的获利,平均销售单价季增17~19...
- HBM：HBM技术的难点主要在于封装工艺和散热问题。HBM采用了堆叠式封装技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，通过TSV（硅通孔）实现芯片之间的高速通信。这种封装技术对制造工艺要求非常高，同时也会带来散热问题，需要有效的散热解决方案。- 发展趋势：- DDR：DDR技术的发展趋势主要是提高频率和带宽，以满足不断增长...
迈过2023年的经济逆风行业下行周期,2024年存储市场起势,存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求,存储新技术革新步伐加速,DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期;HBM加速迈进,HBM3/HBM3e持续突破,有望带动存储市场迸发新的活力。 一 2024是DRAM技术迸发活力的一年 ...
作为规定内存标准的标准组织,JEDEC 定义并发展了四个 DRAM 类别,用于指导设计人员准确满足其内存要求:标准 DDR (DDR5/4/3/2)、移动 DDR (LPDDR5/4/3/2)、图形 DDR (GDDR3/4/5/6) 和高带宽 DRAM (HBM2/2E/3)。图 1 显示了典型的片上系统 (SoC) 中的内存子系统的结构图,该内存子系统包括 DDR ...
DRAM 内存架构 LPDDRx、DDRx、GDDRx和HBMx都使用基于DRAM的技术。下图所示为DRAM的架构解析。 内存的结构从基础的存储单元(cell)到通道(channel),是一个逐步组合和扩展的层级架构,每个层级都有其特定功能,共同保障内存的数据存储和传输。 Cell(存储单元):是内存的最基本存储单元,由电容器和晶体管组成。工作原理是...