---一般来说列地址线是10位,及A0...A9;行地址线数量根据内存大小,BANK数目,数据线位宽等决定(感觉也应该是行地址决定其他) 2. BANK BANK是存储库的意思,也就是说,一块内存内部划分出了多个存储库,访问的时候指定存储库编号,就可以访问指定的存储库,内存中划分了多少个bank,要看地址线中有几位BA地址,如果...
Bank - 是一个逻辑上的概念。一个bank可以分散到多个chip上,一个chip也可以包含多个bank。DDR4以前是没有Bank Group的,所以该值就表示整个颗粒中Bank数量。但是在DDR4和DDR5中,就表示每个Bank Group中Bank的数量,整个颗粒Bank数量 = Bank Group * Bank。 8阵列bank Row、Column组成的memory array - 可以简单的...
4个group、4个bank,行,列,确定要写入的位置。一般是转换为PA得到ddr的实际地址。 对于每个bank,内有单元,控制bank的访问:Memory Arrays、Row Decoder、Column Decoder、Sense Amplifiers。Row的部分是Word Line,该部分会激活数据读出,从MEMORY ARRAY的数据被送入到Sense AMPS,使用COLUMN DECODER,对数据进行读出。COLUMN...
5.Rank(Dual Rank vs Single Rank) Rank也叫物理bank。Rank表达的是级联的概念,特别需要强调,rank这个概念在网上好多是错误和不准确的,由于半导体技术发展,可以在一个芯片里面就实现多个rank,所以区分rank不要以内存芯片的数量来区分rank。换句话说,如果一个内存条在PCB的两面都有芯片(双面贴片)他就一定是双rank吗...
bank是存储库的意思,也就是说,一块内存内部划分出了多个存储库,访问的时候指定存储库编号,就可以访问指定的存储库,内存中划分了多少个bank,要看地址线中有几位BA地址,如果有两位,说明有4个bank,如果有3位,说明有8个bank DDR3 容量计算 下面这张图是芯片k4t1g164qf资料中截取的;以1Gb容量的DDR2颗粒为例(其...
Bank选择规则。 DDR3内存中的Bank是用于存储数据的物理区域,Bank的选择对内存访问的效率和性能有重要影响。以下是DDR3中的Bank选择规则: 1. Bank结构: DDR3内存模块通常包含多个Bank,每个Bank都有自己的存储单元。 Bank的数量和结构取决于DDR3内存模块的规格和设计。 2. Bank组织: Bank通常被组织成Bank组,每个Bank...
Bank Group- Bank分组数量,该特性只存在于DDR4和DDR5中 Burst Length- 指突发长度,突发是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式,连续传输所涉及到存储单元(列)的数量就是突发长度,在DDR SDRAM中指连续传输的周期数。一般对应预取bit数目。
Bank与Bank 组的区分 这是从DDR4框图中截取的一部分。该DDR总共有16个Bank,每4个Bank组成一个Bank组。 Bank与Bank 组的区分 READ Buust操作 DDR4 读命令支持突发长度为BL8,BC4两种,或者OTF(实时修改BL8和BC4)。这由A12来控制 .A12 = 0 ,BC4(BC4 = burst chop) ...
Bank选择BA0~2 一个Reset信号,是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3 内存将停止所有的操作,并切换至最少量活动的状态,以节约电力。在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,且所有内部的程序装置...
Bank Group- Bank分组数量,该特性只存在于DDR4和DDR5中 Burst Length- 指突发长度,突发是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式,连续传输所涉及到存储单元(列)的数量就是突发长度,在DDR SDRAM中指连续传输的周期数。一般对应预取bit数目。