在读/写操作期间,提供的Bank地址会激活2个Bank,并访问总共256位的数据(请记住,每个行和列地址在一个Bank内访问128位的数据)。 记得之前我们讲过那个寻址的路线没,一共多少个线,然后不断地分配总线数量。用来做片选。 16 Bank模式 在此模式下,32个Bank块被组织成2组,每组16个Bank。[2 x 16 = 32]。 此模...
Rank也叫物理bank。Rank表达的是级联的概念,特别需要强调,rank这个概念在网上好多是错误和不准确的,由于半导体技术发展,可以在一个芯片里面就实现多个rank,所以区分rank不要以内存芯片的数量来区分rank。换句话说,如果一个内存条在PCB的两面都有芯片(双面贴片)他就一定是双rank吗,它仍然可以是单级、双级或四级的,这...
,这意思是说每个channel最多有4个rank,在同一个channel中增加DIMM,并不能增加内存总线宽度,但这增加了bank的数目,提高了同时操作page的能力。 图二,内存读写操作 在图二的...,行地址是1位,列地址是4位,所存的数据总共是2x4-bit x1(bank)。一个ACT命令指定访问行地址解码器,这将触发输入传感放大器中的row...
控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽,这个位宽就称为物理Bank(Physical Bank,有的资料称之为Rank)的位宽。目前这个位宽基本为64bit。 在实际工作中,Bank地址与相应的行地址是同时发出的,此时这个命令称之为“行激活”(Row Active)。在此之后,将发送列地址寻址命令...
Chip- 是内存条上的一个芯片,由多个bank组成,大多数是4bit/8bit/16bit,多个chip做成一个rank,配合完成一次访问的位宽。 Bank- 是一个逻辑上的概念。一个bank可以分散到多个chip上,一个chip也可以包含多个bank。DDR4以前是没有Bank Group的,所以该值就表示整个颗粒中Bank数量。但是在DDR4和DDR5中,就表示每个Ban...
DDR bank rank DDR 正面就是一个rank,背面如果也有颗粒,那就又是一个rank。实物图中的8个颗粒组成了一个rank。 其中的一个颗粒的架构图如上面两个图所示,内部分成bankgroup,bankgroup内又分成bank。 我们每次发送的读写命令都是操作的各个颗粒里面同一个位置的bank。比如chip0的bank3,chip1的bank3,chip2的ban...
Chip- 是内存条上的一个芯片,由多个bank组成,大多数是4bit/8bit/16bit,多个chip做成一个rank,配合完成一次访问的位宽。 Bank- 是一个逻辑上的概念。一个bank可以分散到多个chip上,一个chip也可以包含多个bank。DDR4以前是没有Bank Group的,所以该值就表示整个颗粒中Bank数量。但是在DDR4和DDR5中,就表示每个Ban...
从内存控制器到内存颗粒的内部逻辑，可以简要概括为：channel（通道）＞DIMM（内存条）＞rank（行）＞chip（芯片）＞bank（组）＞row/column（行列）。这样的结构层次，有助于我们更深入地了解内存的工作原理和性能特点。接下来，让我们通过一个具体的例子来进一步阐释内存的基本结构。在这个例子中，我们深入探讨了内存...
1Row/Column组成的Memeory Array:Bank可以理解为一个二维数组bool Array[Row][Column]。而Row/Column就是指示这个二维数组内的坐标。注意读取时每个Bank都读取相同的坐标。 这次我们来看看rank和Chip里面有什么,如下图: 这是个DDR3一个Rank的示意图。我们把左边128MB Chip拆开来看,它是由8个Bank组成,每个Bank核心...
从内存控制器到内存颗粒内部逻辑，笼统上讲从大到小为：channel＞DIMM＞rank＞chip＞bank＞row/column，如下图：一个现实的例子是：在这个例子中，一个i7CPU支持两个Channel（双通道），每个Channel上可以插俩个DIMM，而每个DIMM由两个rank构成，8个chip组成一个rank。由于现在多数内存颗粒的位宽是8bit，而CPU带宽...