此外,在 DBC 工艺技术的基础上不断优化创新发展出来的新工艺,例如 FJ Composite 的 S-DBC 技术,先在陶瓷表面沉积Ti层,再通过热压与铜结合。 图S-DBC 工艺与AMB 工艺键合界面,来源:FJ Composite 此外,活性金属钎焊(AMB)和直接敷铝(DBA )工艺技术也是从 DBC 工艺技术发展起来的金属直接敷接陶瓷基板新工艺。二、...
众多陶瓷基板技术中,直接覆铜基板(Direct Bonded Copper,DBC)因其高效的散热性能和机械稳定性,广泛应用于功率半导体模块、电动汽车控制器和可再生能源变换器等领域。 01 关于“DBC”工艺:DBC(Direct Bonded Copper,直接覆铜)技术由J.F. Burgess和Y.S. Sun于1970年代首次推出。在1980年代中期,美国通用电气(GE)的DB...
DBC技术广泛应用于电力电子器件的封装领域,例如IGBT、MOSFET、LED等。 DBC工艺技术的核心是电压加热法,在高压电场作用下加热电压。首先,将芯片和散热基板通过硅基泥胶进行粘接,在固定的芯片和散热基板上分别涂覆导热硅胶,然后将其进行预扫描和预固化处理。随后,将芯片和散热基板通过电场作用进行加热,在高温下,电流将在...
dbc烧结工艺流程 dbc烧结工艺主要用于制造高导热陶瓷覆铜基板,常见于大功率电子器件封装。工艺核心在于让陶瓷基板与铜箔通过高温烧结形成稳定结合层,确保导热性与绝缘性达标。 材料准备阶段选用96%氧化铝陶瓷基板或氮化铝陶瓷基板,铜箔厚度通常为0.3mm,需先进行酸洗去除表面氧化物。陶瓷基板用砂纸打磨至表面粗糙度Ra≤0.8...
2.键合工艺参数的选择 在DBC铜线键合工艺中,键合工艺参数的选择对键合质量有着直接影响。这些参数主要包括超声功率、键合压力、键合时间等。 超声功率:超声功率是键合过程中的关键参数之一。过大的超声功率可能导致键合区域变形严重,产生明显的裂纹,并引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹。同时,...
DBC陶瓷基板铜片氧化工艺介绍 DBC陶瓷基板由于同时具备铜的优良导电、导热性能和陶瓷的机械强度高、低介电损耗的优点,被广泛应用于各型大功率半导体特别是IGBT封装材料。DBC技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上,其制备过程中关键因素是氧元素的引入,因此需对铜片进行预氧化处理。
采用MFM1000 系列多功能推拉力测试机，其剪切力测试的高度为 10 μm，推球速度为 100 μm/s，分别对 DBC上的第一、二键合点进行剪切力测试。首先利用控制变量法对单因子进行研究。单因子试验中选取的主要工艺参数为超声功率、键合压力及键合时间，选取的基础参数分别为 29 W、1100 g、250 ms。其次，根据选择的...
DBC(Direct Bonding Copper)是一种直接铜键合技术,通过将铜箔与陶瓷基板直接键合在一起,形成一种高导热性的电子封装材料。下面将详细介绍DBC工艺路线的具体步骤和优势。 一、DBC工艺路线的具体步骤 1. 基板准备:首先需要准备陶瓷基板和铜箔,陶瓷基板应具有良好的导热性和绝缘性能,铜箔则应具有良好的导电性能。 2. ...
DBC技术通过将铜箔直接键合到陶瓷基板上,形成了一种具有高导热性、高电气性能和良好机械强度的复合材料。以下是关于DBC制造工艺的详细说明,但由于篇幅限制,我将尽量在有限的字数内提供全面的信息。 一、引言 DBC制造工艺是一种将铜箔与陶瓷基板直接键合的技术,其目的在于提供一种具有高可靠性和高性能的电子封装解决...
(5)对印刷工艺,胶粘剂涂覆后应有良好的抗塌陷性,以保证元器件与电路板良好接触,这对于较大支撑高度元器件如SOIC及芯片载体而言尤为重要。触变性好的胶粘剂,其黏度范围通常为60～500Pa·s,高触变率有助于保证良好的可印刷性及一致的模板印胶质量。