总的来说，D-SIMS和TOF-SIMS的主要区别在于离子源的离子束密度不同，D-SIMS的离子束密度较高，适用于表面元素的定量分析，TOF-SIMS的离子束密度较低，适用于表面元素和化合物的定量和结构分析。
相比TOF-SIMS,D-SIMS有更强的深度分析能力,分析深度能达到5-10um,且剖析过程中可以连续测试元素信息;深度分辨率和检出限比TOF高很多,分析面积100,200,300um见方居多,面积越大溅射速率越慢。 {{moduleItem.modulename}} 结果展示 有标样的: 掺杂深度剖析 ...
D-SIMS可以提供表面,薄膜,界面以至于三维样品的元素结构信息,其特点在二次离子来自表面单个原子层(1nm以内),仅带出表面的化学信息,具有分析区域小、分析深度浅和检出限高的特点,D-SIMS一次离子束流高于10离子/cm2 ,常用双聚焦质量分析器。 D-SI...
【摘要】Secondary-ion-massspectroscope(SIMS)它是一种基于质谱的表面分析技术,二次离子质谱原理是基于离子与样品表面相互作用的现象。 基本原理 Secondary-ion-massspectroscope(SIMS)它是一种基于质谱的表面分析技术,二次离子质谱原理是基于离子与样品表面相互作用的现象。 一次性离子轰击样品表面含有数千种电子伏特能量,...
二次离子质谱技术(Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry,D-SIMS)是一种非常灵敏的表面分析技术,通过用一次离子激发样品表面,打出极其微量的二次离子,根据二次离子的质量来测定元素种类,具有极高分辨率和检出限的表面分析技术。D-SIMS可以提供表面,薄膜,界面以至于三维样品的元素结构信息,其特点在二次离子来自表面单个...
TOF-SIMS分析技术适用于分析有机与无机化合物、生物样品、半导体器件等材料。 二、场发射式扫描电子显微镜离子探针质谱仪(FE-SEM-IMS) 场发射式扫描电子显微镜离子探针质谱仪(FE-SEM-IMS)是一种能够提供高空间分辨率的离子探针质谱仪。该技术结合了场发射式扫描电子显微镜(FE-SEM)和离子探针质谱仪(IMS)的优点,...
TOF SIMS技术是什么 01月17日 TOF-SIMS(Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)技术是一种高分辨率表面成分分析的方法。它通过将样本表面轰击成离子,并利用飞行时间质谱仪测量这些离子的时间和质量,从而确定样本的成分及其分布情况。TOF-SIMS技术不仅可以提供元素分析信息,还可以提供离子组成分析、分子成像等...
TOF-SIMS通过用一次离子激发样品表面,打出很微量的二次离子。这些二次离子因具有不同的质量,在飞行到探测器的时间上会有所不同,根据这一特性,TOF-SIMS可以测定离子的质量,具有极高的分辨率。它所分析的二次离子主要来源于样品表面...
静态SIMS中入射离子通量较低,从而降低了分析深度,使该技术更具表面特异性。它还能减少碎片,有利于分析分子种类。 由于不同的仪器可以采用不同的操作模式,下面将围绕所使用的仪器类型展开。 4飞行时间二次离子质谱仪ToF-SIMS 现代ToF-SIMS仪器一般使用液态金属离子...