1. CMM-D:用于扩展内存,强调高性能和低延迟。 2. CMM-H:支持分层内存解决方案,具有更复杂的数据路径(.mem和.io)。 3. CMM-HC:集成加速器的设计,支持多种数据路径(.cache、.mem和.io),适用于高性能计算应用。 重点关注分层内存解决方案:CMM-H,CMM 代表 CXL Memory Module(CXL内存模块
CMM-H is a great design choice for applications that prioritize capacity, TCO, and throughput over random access latency. We offer two types of CMM-H: Persistent and Tiered Memory. CMM-H Persistent Memory comes with built-in data persistence to minimize down time during data recovery. The ...
根据三星给出的图示,这一模组可经由 CXL 界面直接在闪存部分和 CPU 之间传输块 I / O,也可经由 DRAM 缓存和 CXL 界面实现 64 字节的内存 I / O 传输。 CMM-H 模组可实现细粒度访问,降低 TCO,同时也是可能的持久内存选项。 根据三星展示的路线图,其计划在今年上半年制作一款原型 CMM-H 产品。该原型将配备...
The management of DRAM and NAND resources with the CMM-H controller supports two use cases in (1) Memory persistence and (2) memory tiering, both supporting host processor calls to the CMM-H device as one addressable memory space, intelligently integrated with the host DRAM memory. Use cases...
IT之家3 月 21 日消息,据三星半导体微信公众号发布的中国闪存市场峰会 2024 简报,其正研发 CMM-H 混合存储 CXL 模组。该模组同时包含 DRAM 内存和 NAND 闪存。 IT之家注:作为一种新型高速互联技术,CXL 可提供更高的数据吞吐量和更低的传输延迟,可在 CPU 和外部设备间建立高效连接。
三星电子为了继高带宽存储器(HBM)之后占据市场主导地位,正在加快下一代存储器技术“计算快速链接(CXL)”的开发和量产。12月12日,据专利检索系统KIPRIS显示,三星电子于12月4日4日同时申请了三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H、三星CMM-HC4个商标,这些专用于半导体存储设备、集成电路和数据存储设备。
近期,三星申请了多个CXL产品相关商标,引起各界关注。据《韩国先驱报》援引业内人士消息称,三星近期申请的商标包括三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H和三星CMM-HC。这些产品专为内存、芯片、数据存储设备等而设计。在内部,三星将CXL称为CMM(CXL内存模块)。(财联社)...
TPC-H 工作负载运行在微软 SQL Server 数据库上,其拥有一个以列式格式存储的 3TB 数据集(规模因子为 3000)。该数据集是由 HammerDB 基准测试软件 [8] 生成的。此工作负载采用 NPS1 设置来执行,即将本地内存通道视为一个非一致性内存访问 (NUMA)域,而四个 CXL 内存模块(CMM)构成另一个 NUMA 域。在执行...
近期,三星申请了多个CXL产品相关商标。据《韩国先驱报》援引业内人士消息称,三星近期申请的商标包括三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H和三星CMM-HC。这些产品专为内存、芯片、数据存储设备等而设计。在内部,三星将CXL称为CMM(CXL内存模块)。CXL全称Compute Express Link,意为计算快速链接,是一种全新的互联技术标准...
NUMA 域中，插槽内的所有核心及其关联内存在一个 NUMA 域中与插槽相连，而所有 CXL 内存模块（CMM）...