三星CXL全球首创,3D DRAM路线图公布 据报道,三星推出了一款名为 CXL 分层内存混合内存模块 (CMM-H TM:CXL Memory Module-Hybrid for Tiered Memory) 的新型 Compute Express Link (CXL)附加卡,该卡添加了可由 CPU 和加速器远程访问的额外 RAM 和闪存。该扩展卡混合了高速DRAM和NAND闪存,旨在提供一种经济高效的...
CMM-D addresses the memory capacity server-bound limitations by supporting memory expansion and pooling. The CMM-D device is currently sampling to customers. The next product in the CMM family portfolio is the Compute Express Link (CXL™) Memory Module- Hybrid (CMM-H), which was first intr...
据报道,三星推出了一款名为 CXL 分层内存混合内存模块 (CMM-H TM:CXL Memory Module-Hybrid for Tiered Memory) 的新型 Compute Express Link (CXL)附加卡,该卡添加了可由 CPU 和加速器远程访问的额外 RAM 和闪存。该扩展卡混合了高速DRAM和NAND闪存,旨在提供一种经济高效的方式来提高服务器的内存容量,而无需...
根据三星提供的图示,该模组可以通过CXL界面直接在闪存部分和CPU之间传输块I/O数据,并且还可以通过DRAM缓存和CXL界面实现64字节的内存I/O传输。 据三星展示的路线图显示,他们计划在今年上半年制作一款基于FPGA的CXL 1.1控制器的CMM-H产品原型。这款产品容量最大可达4TB,带宽最高可达8GB/s。展望未来商用量产的CMM-H模...
IT之家3 月 21 日消息,据三星半导体微信公众号发布的中国闪存市场峰会 2024 简报,其正研发 CMM-H 混合存储 CXL 模组。该模组同时包含 DRAM 内存和 NAND 闪存。 IT之家注:作为一种新型高速互联技术,CXL 可提供更高的数据吞吐量和更低的传输延迟,可在 CPU 和外部设备间建立高效连接。
据韩国媒体报道,根据韩国专利检索系统KIPRIS的数据,三星于12月4日提交了四个商标申请,分别为三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H和三星CMM-HC,这些商标将用于半导体存储器件、集成电路和数据存储器件。 CMM是CXL Memory Module的缩写,这一规范是由国际半导体标准化组织JEDEC制定的。在三星内部,CXL通常被称为CMM。
IT之家 3 月 21 日消息,据三星半导体微信公众号发布的中国闪存市场峰会 2024 简报,其正研发 CMM-H 混合存储 CXL 模组。该模组同时包含 DRAM 内存和 NAND 闪存。 IT之家注:作为一种新型高速互联技术,CXL 可提供更高的数据吞吐量和更低的传输延迟,可在 CPU 和外部设备间建立高效连接。
CXL旨在提供一种经济高效的方式来提高服务器的内存容量,而无需使用本地安装的DDR5内存。三星还计划于2025年推出早期版本3D DRAM,到2027年至2028年将其关键尺寸缩小到8-9nm。 据报道,三星推出了一款名为 CXL 分层内存混合内存模块 (CMM-H TM:CXL Memory Module-Hybrid for Tiered Memory) 的新型 Compute Express...
CMM-H (CXL Memory Module – Hybrid) Samsung Semiconductor is leading innovation in memory technology, particularly addressing processor-centric limitations in AI/ML workloads. Their latest venture, the CMM-H (CXL Memory Module – Hybrid), emerges as a next-generation memory solution ...
三星发力新一代内存技术CXL，近期申请多个相关商标 近期，三星申请了多个CXL产品相关商标，引起各界关注。据《韩国先驱报》援引业内人士消息称，三星近期申请的商标包括三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H和三星CMM-HC。这些产品专为内存、芯片、数据存储设备等而设计。在内部，三星将CXL称为CMM（CXL内存模块）。（...