10月份，三星展示了其在CXL技术方面的进展，其计划在2024年底前量产符合CXL 2.0协议的256GB CMM-D，且同联想一道完成了业界首个 128GB CMM-D CXL 内存模块联合验证。受测 CMM-D 模块搭载三星电子 12nm 级 32Gb DDR5 DRAM 颗粒与澜起科技的新一代 CXL 控制器，相较以往产品带宽提升 10%，延迟降低 20%，在...
10 月份，三星展示了其在 CXL 技术方面的进展，其计划在 2024 年底前量产符合 CXL 2.0 协议的 256GB CMM-D，且同联想一道完成了业界首个 128GB CMM-D CXL 内存模块联合验证。受测 CMM-D 模块搭载三星电子 12nm 级 32Gb DDR5 DRAM 颗粒与澜起科技的新一代 CXL 控制器，相较以往产品带宽提升 10%，延迟降...
根据三星提供的图示,该模组可以通过CXL界面直接在闪存部分和CPU之间传输块I/O数据,并且还可以通过DRAM缓存和CXL界面实现64字节的内存I/O传输。 据三星展示的路线图显示,他们计划在今年上半年制作一款基于FPGA的CXL 1.1控制器的CMM-H产品原型。这款产品容量最大可达4TB,带宽最高可达8GB/s。展望未来商用量产的CMM-H模...
根据三星给出的图示,这一模组可经由 CXL 界面直接在闪存部分和 CPU 之间传输块 I / O,也可经由 DRAM 缓存和 CXL 界面实现 64 字节的内存 I / O 传输。 CMM-H 模组可实现细粒度访问,降低 TCO,同时也是可能的持久内存选项。 根据三星展示的路线图,其计划在今年上半年制作一款原型 CMM-H 产品。该原型将配备...
IT之家3 月 21 日消息,据三星半导体微信公众号发布的中国闪存市场峰会 2024 简报,其正研发 CMM-H 混合存储 CXL 模组。该模组同时包含 DRAM 内存和 NAND 闪存。 IT之家注:作为一种新型高速互联技术,CXL 可提供更高的数据吞吐量和更低的传输延迟,可在 CPU 和外部设备间建立高效连接。
在2024年的Memcon大会上,三星电子展示了其最新的Compute Express Link (CXL) 功能和新型内存模块。这些创新包括业界首款用于持久内存的CXL混合内存模块 (CMM-H PM),以及CXL内存模块-Box (CMM-B)。此外,三星还与Supermicro合作,提供机架级内存解决方案。与
1. CMM-D:用于扩展内存,强调高性能和低延迟。 2. CMM-H:支持分层内存解决方案,具有更复杂的数据路径(.mem和.io)。 3. CMM-HC:集成加速器的设计,支持多种数据路径(.cache、.mem和.io),适用于高性能计算应用。 重点关注分层内存解决方案:CMM-H,CMM 代表 CXL Memory Module(CXL内存模块)。
CXL旨在提供一种经济高效的方式来提高服务器的内存容量,而无需使用本地安装的DDR5内存。三星还计划于2025年推出早期版本3D DRAM,到2027年至2028年将其关键尺寸缩小到8-9nm。 据报道,三星推出了一款名为 CXL 分层内存混合内存模块 (CMM-H TM:CXL Memory Module-Hybrid for Tiered Memory) 的新型 Compute Express...
1. CMM-D:用于扩展内存,强调高性能和低延迟。 2. CMM-H:支持分层内存解决方案,具有更复杂的数据路径(.mem和.io)。 3. CMM-HC:集成加速器的设计,支持多种数据路径(.cache、.mem和.io),适用于高性能计算应用。 重点关注分层内存解决方案:CMM-H,CMM 代表 CXL Memory Module(CXL内存模块)。
三星还展示了其CXL内存模块-DRAM(CMM-D)技术,促进了CPU和内存扩展设备之间的高效、低延迟连接。红帽公司作为开源软件解决方案领域的全球领导者,去年已成功验证了三星的CMM-D设备,并计划与三星继续合作,推动CXL开源和参考模型的发展。 三星还向与会者展示了其最新的HBM3E 12H芯片,这是全球首款12堆叠HBM3E DRAM,标...