CVD金刚石材料生长及氢终端金刚石场效应晶体管研究 金刚石属于新一代的超宽禁带半导体材料。金刚石具有禁带宽度大、载流子迁移率高、击穿场强高、热导率高、硬度大、化学稳定性好等一系列优异的性能,因此也被称为“终极半导体”。金刚石在高频大功率器件、光学窗口、高能粒子探测器、量子信息、生物传感器等领域具有...
CVD金刚石制备及金刚石金属氧化物场效应晶体管研究 金刚石具有禁带宽度大,载流子迁移率高,热导率极高等优异的电学性能,使其成为制备下一代高功率,高频,高温及低功率损耗电子器件最有潜力的宽禁带半导体材料.然而目前限... 朱肖华 - 《北京科技大学》 被引量: 0发表: 2022年 氢终端金刚石薄膜生长及其表面结构 ...
金刚石表面经过氢等离子体处理并暴露在空气中以后会在金刚石表面形成一层浓度在10~(12)~10~(14)cm~(-2)的二维空穴气,但这层导电层具有不稳定的问题,因此基于氢终端表面的金刚石实现高性能、高稳定性的场效应晶体管器件仍然需要不断的努力。基于上述研究背景,本文开展了高质量金刚石材料的生长以及基于金刚石材料...