本实验采用双温度区间的CVD 管式炉进行石墨烯的生长,采用的衬底为铜箔,铜衬底先经过机械抛光及电化学抛光双重抛光,使铜箔表面缺陷减少并在生长石墨烯前在衬底温度1000℃下退火30 min,使铜晶粒长大,减少晶界等石墨烯易于形核的区域,降低生长石墨烯过程中的形核密度。之后在衬底温度1000℃条件下,在抛光后的铜衬底上制...
使用气态烃源的化学气相沉积(CVD)在大规模石墨烯生长方面显示出巨大的前景,但高生长温度(通常为1000℃)需要复杂而昂贵的设备,这增加了石墨烯的生产成本。但也有不少报道提出采用含固体碳的材料作为碳源制备高质量的石墨烯。由于分解温...
以乙醇为碳源,采用低氢常压化学气相沉积(CVD)法在铜基底上制备石墨烯薄膜,并将其成功转移至目标基底。通过SEM、Raman、TEM、选区电子衍射等分析发现,所制备的石墨烯薄膜结构完整、质量良好。通过设计实验,观察和分析了石墨烯薄膜...