石墨烯在Cu上生长的基本步骤包括金属催化的CH4分解、Cu上碳原子的快速迁移,能垒为≈0.06eV,石墨烯在Cu缺陷和晶界处成核,以及Cu原子催化的畴区扩展生长。对于石墨烯在玻璃表面上的生长,基本步骤包括CH4分子的热分解,碳原子在玻璃表面的缓慢迁移,,能垒为≈1.0 eV,通过C—O键合实现石墨烯成核,以及石墨烯边缘的直接...
PECVD法制备石墨烯的生长机理与其他方法相比较复杂,但是其利用电解离的等离子体形成的活性物种和碳源进行反应的方式,可以实现高质量、大面积的石墨烯生长。具体来说,PECVD法使用的常见碳源有甲烷、乙烯等,通过激活等离子体产生的活性物种与碳源分子发生反应,使得碳原子逐层沉积在衬底上形成石墨烯。在生长过程中,衬底表面...
综述了过渡金属表面CVD石墨烯的生长机理,并总结了石墨烯大规模生产和金属催化剂再利用所面临的困难和挑战.%Graphene has become the focus of research recently due to its unique excellent properties.Various methods have been proposed for the synthesis of graphene and chemical vapor deposition (CVD) appears ...
以乙醇为碳源,采用低氢常压化学气相沉积(CVD)法在铜基底上制备石墨烯薄膜,并将其成功转移至目标基底。通过SEM、Raman、TEM、选区电子衍射等分析发现,所制备的石墨烯薄膜结构完整、质量良好。通过设计实验,观察和分析了石墨烯薄膜...
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在此选择玻璃作为石墨烯生长衬底,在保证玻璃透明的前提下,赋予传统玻璃优异的导电性和导热性。“超级石墨烯玻璃”作为石墨烯和玻璃的完美组合 ,在基础研究和日常生活应用方面都引起了研究人员极大的兴趣。本文总结了玻璃表面上石墨烯的生长方法以及特殊生长机理。生长方法可以归纳为四大类:直接热CVD生长、熔融床CVD生长、...
【前言】 金属表面上的化学气相沉积(CVD)被认为是获得大面积、高质量石墨烯薄膜的最有效方法。为实现石墨烯薄膜的应用,需要将石墨烯从从生长的金属衬底转移至目标衬底(例如,聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)、玻璃和SiO2 / Si),此过程耗时费力而且还会严重损坏石墨烯的质量。而在目标衬底上实现石墨烯的直接生长,可以...
研究内容:本文总结了玻璃表面上石墨烯的生长方法以及特殊生长机理。生长方法可以归纳为四大类:直接热CVD生长、熔融床CVD生长、金属催化辅助生长和等离子体增强生长方法。本文重点讨论针对于不同的玻璃衬底,其适用的不同生长方法,带领读者全面了解非金属玻璃衬底上石墨烯的生长近况以及“超级石墨烯玻璃”研究的最新进展。
(CVD )法在铜基底上制备石墨烯薄膜,并将其成功转移至目标基底.通过SEM,Raman,TEM,选区电子衍射等分析发现,所制备的石墨烯薄膜结构完整,质量良好.通过设计实验,观察和分析了石墨烯薄膜生长过程中主要阶段的形貌特征及生长机理.结果表明,乙醇高温分解出的碳原子在铜基底表面聚集形核,形成的原始晶粒逐渐长大为岛状晶畴...