后来我才知道,CVD成膜的温度要求,那可是有讲究的。不同的材料,不同的工艺,温度要求都不一样。比如,你要是做氮化硅薄膜,温度得控制在700到800摄氏度之间,低了不行,高了也不行。低了,膜的密度不够,容易有孔洞;高了,材料可能会分解,膜的质量也会受影响。 还有一次,我们实验室新来了一个博士生,小伙子挺聪明...
CVD技术具有如下一些特点;①设备的工艺操作较简单、灵活性较强,能制备出配比各异的单一或复合膜层和合金膜层;②CVD法的适用性较广泛,可制备各种金属或金属膜涂层;③因沉积速率可高达每分钟几微米到数百微米,因此生产效率高;④与PVD法相比较绕射性好,非常适宜涂覆形状复杂的基体,如槽沟、涂孔甚至盲孔结构均可镀制...
东电电子以前分别制造成膜温度范围约400℃～约500℃的钛成膜CVD设备以及成膜温度约为600℃的设备。今后将主要通过改进喷头,使同一设备涵盖这两个成膜温度范围。另外,该设备还可抑制颗粒的产生,与原机型相比能够降低设备的维护频率。
CVD技术具有如下一些特点;①设备的工艺操作较简单、灵活性较强,能制备出配比各异的单一或复合膜层和合金膜层;②CVD法的适用性较广泛,可制备各种金属或金属膜涂层;③因沉积速率可高达每分钟几微米到数百微米,因此生产效率高;④与PVD法相比较绕射性好,非常适宜涂覆形状复杂的基体,如槽沟、涂孔甚至盲孔结构均可镀制...
依据在CVD工艺过程中参与反应气体压力的大小,反应程度的高低以及采用的化学手段的不同,可将所运用各种不同类型的CVD成膜方法分成不同类别,见表 CVD技术具有如下一些特点;①设备的工艺操作较简单、灵活性较强,…
依据在CVD工艺过程中参与反应气体压力的大小,反应程度的高低以及采用的化学手段的不同,可将所运用各种不同类型的CVD成膜方法分成不同类别,见表 CVD技术具有如下一些特点;①设备的工艺操作较简单、灵活性较强,…