<Claim>4.根据权利要求1或3所述的TCAD仿真中MOS电容CV特性曲线的校准方法,其特征在于,步骤S03中,对所得MOS电容器件的栅极进行CV特性测试,获得实际MOS电容CV特性曲线,并由实际MOS电容CV特性曲线得到MOS电容器件的积累区电容,进而计算得到栅氧厚度拟合值,用于步骤S04中对TCAD器件仿真中的栅氧厚度进行校准。 <Claim>5...
电机特性曲线虚拟仿真技术在多个领域有着广泛的应用: 电机设计与优化:工程师可以通过虚拟仿真评估不同设计参数对电机性能的影响,从而找到最佳设计方案。 故障诊断与预测:基于虚拟仿真的模型,可以开发智能算法用于诊断电机的故障,并预测可能的损坏情况。 系统集成:虚拟仿真可以帮助系统工程师在整体系统中评估电机的性能,确保...
二倍周期 实际曲线 对比 3.单吸引子 单吸引子 实际曲线 对比 4.双吸引子 双吸引子 实际曲线 对比 附:下面列出用虚拟仪器难以观察的曲线 四倍周期 八倍周期 三倍周期
本发明公开了一种TCAD仿真中MOS电容CV特性曲线的校准方法,包括:建立TCAD工艺仿真程序并运行,得到MOS电容的仿真器件结构;进行实际流片,得到相应尺寸的MOS电容器件;对MOS电容器件进行测试,获得实际MOS电容CV特性曲线,计算得到栅氧厚度拟合值和实际沟道掺杂浓度;根据栅氧厚度拟合值和实际沟道掺杂浓度,对TCAD仿真中的栅氧厚度...
摘要 本发明公开了一种TCAD仿真中MOS电容CV特性曲线的校准方法,包括:建立TCAD工艺仿真程序并运行,得到MOS电容的仿真器件结构;进行实际流片,得到相应尺寸的MOS电容器件;对MOS电容器件进行测试,获得实际MOS电容CV特性曲线,计算得到栅氧厚度拟合值和实际沟道掺杂浓度;根据栅氧厚度拟合值和实际沟道掺杂浓度,对TCAD仿真中的栅...
本发明公开了一种TCAD仿真中MOS电容CV特性曲线的校准方法,包括:建立TCAD工艺仿真程序并运行,得到MOS电容的仿真器件结构;进行实际流片,得到相应尺寸的MOS电容器件;对MOS电容器件进行测试,获得实际MOS电容CV特性曲线,计算得到栅氧厚度拟合值和实际沟道掺杂浓度;根据栅氧厚度拟合值和实际沟道掺杂浓度,对TCAD仿真中的栅氧厚度...