在MOS两端加负压和小的正压时(反型前),p-sub处在积累和耗尽状态,MOS高频和低频C-V特性是相同的,因为积累是电容下极板产生空穴,而空穴是多子,数量很多,所以能够跟得上高频信号的变化。在耗尽情况下,p-sub感应出空间电荷区,空间电荷区的负电荷是由不可动的受主杂质提供,这与低频情况下是一样的,所以在MOS在反...
我们可以通过0.18工艺的5V MOS管仿真MOS电容:进行ac仿真,加到Gate上面的电压交流信号幅度为1,扫描变量直流电压V,并且频率固定为一定值1/2π。根据下列公式,即可得到电流I的值就等于电容值。 1、当source,drain和背栅接在一起。 低频时C-V变化曲线 2、当加在栅压上的交流电压频率为159T时,电容的曲线为: 高频...
C-V 曲线 (高频:100kHz): 移动氧化层电荷密度 (偏压温度应力:200°C,10 分钟,±10V) 半导体器件实验室的核心是参数分析仪。简单易用的4200-SCS半导体特性分析系统能进行实验室级的直流和脉冲器件特性分析、实时绘制以及高精密和亚飞安分辨率的分析。4200-SCS 结合了 4200-CVU 的集成选件,现能让半导体测试用户灵...
半导体参数分析仪_IV+CV一键测_支持远程指令控制 ¥ 1000.00 LIV光电特性测试脉冲恒流源 PL202型窄脉冲电流源 ¥ 1000.00 半导体参数CV测试系统 功率半导体器件C-V测试仪器 ¥ 1000.00 高精度电性能表征国产电流源_IV曲线扫描精密源表 ¥ 1000.00 半导体分立器件iv+cv测试仪电性能i-v曲线扫描仪 ¥ 10...
光伏组件特性曲线又叫I-V曲线,这个曲线是分析光伏组件发电性能的重要依据。一般情况下,组件出厂时都要进行I-V曲线测试,以便确定组件的电性能是否正常和功率大小。但是在电站安装完成后很少人会再去对阵列进行I-V曲线测试,从我的从业经验来看我认为这个是非常有必要的。
[解析]根据三极管V的输出特性曲和Ib-Ic结果曲线图,c点位置说明三极管V处于Ⅱ区状态,其放大系数β约为35,当处于b点位置时,三极管V发射极正偏、集电极反偏,调节Rp变小,使得从a到b直至d点,Ube基本不变,但Uce逐渐下降,ACD正确。 故选:B。 本题考查三极管特性和电路分析。 熟练掌握三极管特性和电路分析,此题难度...
额定电压为3.8V的小灯泡的伏安特性曲线如图所示,分析判断,下列说法正确的是( ) A. 小灯泡的电流与电压成反比 B. 小灯泡的电阻随着电压增大而减小 C. 小灯泡的
在“描绘小灯泡的伏安特性曲线”的实验中,小灯泡的规格为“3.8V,0.3A”。除了开关、导线外,还有如下器材: 电压表V,量程0～5 V,内阻约5 kΩ 电流表A1,量程0～500mA,内阻约0.5Ω 电流表A2,量程0～100 mA,内阻约4 Ω 滑动变阻器R1,最大阻值10 Ω,额定电流2.0 A ...
某同学用右图所示的实物电路.描绘额定电压为4.0V的小灯泡的伏安特性曲线.并研究小灯泡实际功率及灯丝温度等问题. ①根据右侧的实物图.在答题纸上的虚线框内画出电路图. ②闭合开关.将滑动变阻器的滑片 p 向 b 端移动.发现“电流表的示数几乎为零.电压表的示数逐渐增大 .则