什么是Cu-Cu混合键合技术?。#芯片 #封装 三星电子计划在2024年推出先进的3D芯片封装技术SAINT,希望将多个元件聚集在一起封装成单一电子元件,从而提高半导体性能。三星电子还表示,将在2025年开发针对高层HBM的无凸点封装(Cu - 硅时代·Simon于20231208发布在抖音,已经
目前Cu-Cu混合键合有三种方式。晶圆到晶圆(W2W)工艺是最常用的,而芯片到晶圆(D2W)或芯片到晶圆(C2W)工艺正在深入研究开发中,因为它可以满足更多需要集成不同尺寸的应用。 对于所有这三种方式,制造中的一个关键方面是键合环境,其中通过化学机械抛光 (CMP) 优化实现平坦且清洁的电介质表面至关重要。此外,开发能够承受...
第六章介绍了Cu-Cu混合键合的技术概述、关键技术要点、各公司技术进展、D2W和W2W混合键合比较以及总结与建议;需要特别声明的是,虽然书籍是2024年版本的,但我学习的节选部分是盲猜是2年前的,所以在提到各家技术进展时,引文部分横跨了2005年到2022年,请注意辨别,并不是最新的技术成果,仅供知识点的学习 *文献原档移...
作者: 2024-2034年,2.5D、3D、先进半导体封装、RDL、介电材料、Cu-Cu混合键合、EMC、MUF等,先进的半导体封装为有机介电材料提供了巨大的市场机会。
攻克了Cu-PI异质键合难点,实现了Cu-Cu,PI-PI,Cu-PI统一兼容工艺条件下的同时键合,从而开发了适用于全固化PI/Cu混合结构的低温,快速垂直堆叠键合方案.主要研究内容如下: 1.在铂(Pt)催化甲酸蒸气中,在250℃,10 min条件下获得了界面剪切强度为31.7 MPa的Cu-Cu直接键合.研究表明,甲酸蒸气通过还原Cu表面的氧化物,...
基于两步协同表面活化低温键合工艺,获得了牢固且过渡层元素分布连续均匀的Cu-Cu,SiO_2-SiO_2,Cu-SiO_2的同质/异质及Cu/SiO_2混合键合界面.结合分子动力学模拟仿真,进一步阐明低温条件下界面形成机理,包括:在压力作用下依靠氢键与范德华力率先实现SiO_2-SiO_2之间的预键合,同时Cu表面间发生充分接触;随着温度升高...
三维集成芯片专利!华为哈工大强强联手,公布了基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法专利。本发明涉及芯片制造技术领域,实现了以Cu/SiO2混合键合为基础的硅/金刚石三维异质集成。#华为 #华为芯片 #半导体 #nova12 #mate6 - 麦萌数码于20231124发布在抖音,已经收获
Cu/SiO2混合键合(Hybrid bonding)通常在~400 ℃下实现以保证互连质量,但过高的键合温度会对芯片性能造成恶化。降低键合温度的本质在于控制Cu和SiO2表面化学状态。然而,Cu-Cu和SiO2-SiO2低温键合所需的理想表面状态难以兼容(如无氧化的Cu表面和亲水的SiO2表面),因此难以通过单一的活化方法直接实现低温混合键合。
集微网消息,三星电子表示,已经研发制造出16层堆叠的高带宽存储(HBM)的样品。 三星副总裁Kim Dae-woo表示,三星采用混合键合技术制造了该芯片。他表示,虽然16层堆栈HBM距离投入量产还需要一段时间,但证实其运行正常。 Kim Dae-woo还补充说,该芯片是作为HBM3制造的,但三星计划在HBM4中使用来提高生产率。
直接Cu-Cu键合至少有两种不同的类型,即Cu-Cu热压键合(即TCB)和室温直接Cu-Cu键合互连(即混合键合,Hybrid Bonding) *大多数直接Cu-Cu TCB在高温(通常为350-400°C)和高压下工作,以驱动Cu原子在界面上扩散 *混合键合则将介电键与金属键结合形成互连