混合键合(Hybrid Bonding)作为一种先进的键合技术,正在逐渐成为集成电路制造业中的重要工艺。通过结合晶片间和晶片内键合的优点,混合键合技术可以实现高性能、高密度和高可靠性的封装连接。 混合键合的定义 混合键合是一种新兴的封装技术,结合了晶片间键合(Inter-chip Bonding)和晶片内键合(Intra-chip Bonding)的特点。...
而英特尔也在2020年的Architecture Day发布了采用混合键合的先进封装技术，计划用于3D封装Foveros Direct，当时宣布同年试产混合键合芯片。据悉，英特尔有望今年在逻辑芯片与互联器上先采用混合键合。英特尔白皮书表示，Foveros Direct采用晶粒对晶圆混合键合，间距预估9µm，第二代产品缩小至3µm。此外，需多层堆栈的HBM...
但是,混合键合技术需要新的制造、处理、清洁和测试方法。 据报道,英特尔有望在2024年率先在其逻辑芯片与互连器之间采用混合键合技术。Foveros Direct预计将采用晶粒对晶圆的混合键合方法,其间距预计在9至10微米之间。相比之下,英特尔的Meteor Lake产品采用热压缩键合(TCB)技术的间距...
尔后有业界消息传出,三星已完成采用16 层混合键合HBM 记忆体技术验证,采用混合键合技术的16 层堆叠HBM3 记忆体样品运作正常,意味着其HBM4 记忆体量产将可能采用混合键合技术。 另一方面,三星在晶圆代工领域的竞争对手台积电与英特尔都早已有混合键合技术商品化实例的同时,三星先进封装解决方案中的混合键合技术消息却相对...
1、混合键合从两个晶圆或一个芯片和一个晶圆相对开始。配合面覆盖有氧化物绝缘层和略微凹陷的铜垫，与芯片的互连层相连。2、将硅片压在一起以在氧化物之间形成初始键。3、然后缓慢加热堆叠的硅片，牢固地连接氧化物并扩展铜以形成电连接。为了形成更牢固的键合，工程师们正在压平氧化物的最后几纳米。即使是轻微的...
混合键合，或称为Hybrid Bonding，主要有两种使用方式。第一种是晶圆到晶圆，用于CIS 和NAND，在这些领域，混合键合已经证明了其效率。铜混合键合最早出现在2016年，当时索尼将这项技术用于CMOS图像传感器；另一种是裸片到晶圆混合键合，这比晶圆间键合更加困难，但这种工艺变化对于逻辑和高带宽内存 (HBM) 很有意义。...
1、性能提升:混合键合技术通过缩短信号传输路径,显著降低了芯片内部延迟,提高了数据传输速率,这对于高性能计算、人工智能、5G通信等领域至关重要。 2、能效优化:在三维结构中,更短的互连距离减少了电容和电阻效应,从而降低了功耗,这对于移动设备和数据中心的节能需求尤为关键。
混合键合是一种将介电键(SiOx)与嵌入金属(Cu)结合形成互连的永久键合。它被业界称为直接键互连(DBI)。混合键合扩展了熔合键合,在键合界面中嵌入了金属焊盘,从而实现了晶片的面对面连接。 为什么使用混合键合 混合键合通过紧密间隔的铜焊盘垂直连接芯片到晶片(D2W)或晶片到晶圆(W2W)。虽然W2W混合键合已在图像传感领域...
混合键合(即Hybrid Bonding)是芯片先进封装中可谓最关键的技术，结合了电气连接和机械连接，能够显著提高芯片之间的互连密度、数据传输效率以及综合能效，这一技术被广泛应用于AI芯片领域——比如英伟达Hopper、Blackwell系列AI GPU以及博通AI ASIC。与焊球互连(如BGA技术)等其他类型的封装技术相比，混合键合能够支持微小得...
除了CIS 领域,高阶CPU 产品是另一个采混合键合的大宗领域,这无疑是台积电的主场。 第一个采用这项先进封装连接技术的CPU 是AMD 于COMPUTEX 2021 发表的3D V-Cache,就是台积电SoIC 解决方案Cu / Oxide Hybrid Bonding 高密度封装,将快取记忆体(SRAM)堆叠于运算单元CCX (CPU Complex)上,让CPU 获更多L3 快取记...