TI(德州仪器)CSD19536KTTT参数(TO-263-3 N-Channel 100V 200A,封装:TO-263-3),CSD19536KTTT中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载,您可以在CSD19536KTTTMOS管规格书Datasheet数据手册中,查到CSD19536KTTT引脚图及功能的应用电路图引脚电压和使用方法,CSD19536KTT
CSD19536KTT中文资料.pdf CSD19536KTTdatasheet.pdf 产品信息 描述 这款 100V、2.0mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。特性 超低 Qg 和 Qgd 低热阻 雪崩级 无铅引脚镀层 符合 RoHS 环保标准 无卤素 D2PAK 塑料封装应用...
文件大小882.06 Kbytes 页14 Pages 制造商TI1 [Texas Instruments] 网页http://www.ti.com 标志 功能描述100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET 类似零件编号 - CSD19536KTT 制造商部件名数据表功能描述 Texas InstrumentsCSD19536KTT 852Kb/14P[Old version datasheet]CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET ...
厂商: TI 封装: 描述: CSD19536KTT 100-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet (Rev. B) 数据手册:下载CSD19536KTT.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 CSD19536KTT 数据手册 下载PDF CSD19536KTT 价格&库存 -> 查询更多价格&库存 型号: CSD19536KTT 品牌: TI 封装: TO-263|3 描述: 国内...
唯样编号D-CSD19536KTTT 供货海外代购D代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 CSD19536KTT.pdf 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
数据: CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. B) 描述 这款100V,2mΩ,D 2 PAK(TO-263)NexFET™功率MOSFET旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 特性 超低Q g 和Q gd 低热阻 雪崩级 无铅引脚镀层 符合RoHS环保标准 无卤素 D 2 PAK塑料封装 所有商标均为其各自所有...
產品規格表 document-pdfAcrobat CSD19536KTT 100-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet (Rev. B) (英文) PDF | HTML CSD19536KTT 產品規格表 立即訂購 產品詳細資料 VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.4 VGSTH typ (...
CSD19536KTTT 采用D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 document-pdfAcrobat CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. B) PDF | HTML document-pdfAcrobat 英语版 (Rev.B) PDF | HTML open-in-new 查看CSD19536KTT 的所有其他信息 ...
电子管-场效应管-CSD19536KTT-TI-TO-263-3-2020+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为...
PDF资料 价格说明 联系我们 品牌 Texas Instruments 封装 DDPAK/TO-263-3 批号 2022 数量 18000 制造商 Texas Instruments 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TO-263-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 100 V Id-连续漏极电流 272 A...