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TI CSD19536KTT 场效应管 N沟道 NexFE 功率 MOSFET 低 Qg 和 Qgd 价格 ￥1.10 起订量 1个起批 发货地 广东 深圳 所属类目 电子元器件;集成电路(IC);模拟IC 产品标签 低;Qg;和;Qgd;TI;低热阻;雪崩级;N;沟道;NexFET;功率;MOSFET 获取底价 查看电话 在线咨询 深圳市博视创达电子科技有限公司 主...
型号 CSD19536KTTT 技术参数 品牌: TI/德州仪器 型号: CSD19536KTTT 封装: TO-263(DDPAK-3) 批号: 23+ 数量: 128000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连...
型号 CSD19536KTT PDF资料 电子管-场效应管-CSD19536KTT-Texas Instruments-DDPAK/TO-263-3-2022.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在...
型号 CSD19536KTTT 技术参数 品牌: TI(德州仪器) 型号: CSD19536KTTT 数量: 5000 描述: MOSFET N-CH 100V 200A TO263 原厂标准交货期: 6周 详细描述: 表面贴装型-N-通道-100V-200A(Ta)-375W(Tc)-DDPAK-TO-263-3 数据列表: CSD19536KTT; 标准包装: 50 包装: 标准卷带 零件状态: 有源 类别...
CSD19536KTTT 全球供应商 全球供应商 (8家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -4立即发货1RMB ¥税29.82629.82629.82629.82629.826购买 德州仪器(TI) -立即发货1RMB ¥税33.83833.83827.59218.39218.392询价 ...
商品型号 CSD19536KTTT 商品编号 C2860358 商品封装 TO-263-3 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)200A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2mΩ@10V,100A ...
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包装数量 | 包装 50 | SMALL T&R CSD19536KTT 的特性 超低Qg 和Qgd 低热阻 雪崩级 无铅引脚镀层 符合RoHS 环保标准 无卤素 D2PAK 塑料封装 CSD19536KTT 的说明 这款100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。 缺货...