型号 CSD19536KTT 技术参数 品牌: TI/德州仪器 型号: CSD19536KTT 批号: 22+ 数量: 10348 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 272 A Rds On-...
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型号 CSD19536KTT 型号 CSD19536KTT 品牌 TI德州仪器 批号 新批次 封装 TO-263-3 QQ 3788417013 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购...
查看详情 CM8064601482423 集成电路 intel 封装DNA 批次20+ ￥2.00 查看详情 IIS2DHTR 模数转换器 ST 封装DNA 批次21+ ￥2.00 查看详情 STM32F030C8T6TR 集成电路(IC) ST 封装DNA 批次21+ ￥2.00 查看详情 BTA06-600C 电子元件 ST 封装DNA 批次21+ ￥2.00 查看详情 EY82C627A SRH59 电子元器件 in...
系列 CSD19536KTT 下降时间 6 ns Id-连续漏极电流 272 A Pd-功率耗散 375 W RdsOn-漏源导通电阻 2.4 mOhms 上升时间 8 ns 晶体管极性 N-Channel 典型关闭延迟时间 32 ns 典型接通延迟时间 13 ns Vds-漏源极击穿电压 - 20 V, + 20 V Vgsth-栅源极阈值电压 2.1 V 包装 卷 最小包...
型号 CSD19536KTT 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,...
TI CSD19536KTT 场效应管 N沟道 NexFE 功率 MOSFET 低 Qg 和 Qgd 价格 ￥1.10 起订量 1个起批 发货地 广东 深圳 所属类目 电子元器件;集成电路(IC);模拟IC 产品标签 低;Qg;和;Qgd;TI;低热阻;雪崩级;N;沟道;NexFET;功率;MOSFET 获取底价 查看电话 在线咨询 深圳市博视创达电子科技有限公司 主...
型号 CSD19536KTT 技术参数 品牌: TI 型号: CSD19536KTT 封装: /NA 批号: 21+ 数量: 500 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: Texas Instruments 系列: NexFET™ FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 100 V Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 375W(Tc) 工作温度: ...
CSD19536KTT 贴片 TO-263 原字原码 N沟道 100V 272A 场效应管 ¥2 原装CSD19536KTT 贴片 TO-26k3 N沟道 100V 272A MOSFET场效应管 ¥12 CSD19536KTT 贴片 TO-263 全新 N沟道 100V 272A MOSFET场效应管 ¥4.5 CSD19536KT DDPAK 贴片 CSD19536KTT MOS场效应管 现货 ¥5 原装CSD19536KTT 贴片 ...