CSD18540Q5B MOSFET场效应管 TI 封装VSON8 晶体管 IC芯片 CSD18540Q5B 6660 TI/德州仪器 VSON8 新年份 ￥0.2100元10~49 个 ￥0.1900元50~99 个 ￥0.1700元100~-- 个 深圳市鸿胜芯电子有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 CSD18540Q5B TI VSON8 23+ 代理电子元器 汽车芯片参数 CSD185...
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规格 请选择规格 属性 品牌:其他 型号:CSD18540Q5B 封装:QFN 批号:1 FET类型:N 漏源电压(Vdss):1 漏极电流(Id):1 漏源导通电阻(RDS On):1 栅源电压(Vgs):1 栅极电荷(Qg):1 反向恢复时间:1 最大耗散功率:1 配置类型:1 工作温度范围:1 安装类型:1 评价 0.0 ...
基本产品编号 CSD18540 系列 NexFET™ 漏源电压(Vdss) 60 V 功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),195W(Tc) 安装类型 表面贴装型 技术 MOSFET(金属氧化物) 标准包装 250 不同Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4230 pF @ 30 V Vgs(最大值) ±20V FET 功能 - 不同Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 53 nC...
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系列 CSD18540Q5B 功率 标准 特色服务 一站式BOM表配单 产品说明 原装现货 是否跨境货源 否 包装 2500 可售卖地 全国 用途 仪器 类型 其他IC 型号 CSD18540Q5B 货号 CSD18540Q5B 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所...
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系列: CSD18540Q5B 晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET 宽度: 5 mm 下降时间: 3 ns 上升时间: 9 ns 典型关闭延迟时间: 20 ns 典型接通延迟时间: 6 ns CSD18540Q5B 场效应管 TI 输出功率 阳极电流 栅极电压 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情...