CSD18540Q5B MOSFET场效应管 TI 封装VSON8 晶体管 IC芯片 CSD18540Q5B 6660 TI/德州仪器 VSON8 新年份 ￥0.2100元10~49 个 ￥0.1900元50~99 个 ￥0.1700元100~-- 个 深圳市鸿胜芯电子有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 TI/德州仪器 CSD18540Q5B VSON-8 60V N沟道 MOSFET场效应管 IC...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 VSON-CLIP-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 60 V Id-连续漏极电流 100 A Rds On-漏源导通电阻 2.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 10 V Vgs th-栅源极阈值电压 1.5 V Qg-栅极电荷 41 nC 最小...
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品牌: TI/德州仪器 批号: 20+ 数量: 13843 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 系列: NexFET™ FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Ta) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 250µA Vgs(...
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全新CSD18540Q5BT封装VSONP-8 电源管理 N沟道MOSFET 芯灿微 深圳市芯灿微电子有限公司 5年 暂无记录 加入进货单询价 场效应管CSD18540Q5BTTI(德州仪器) VSON-CLIP-8 TI(德州仪器) NEW ¥9.50≥1 深圳市佳信源微科技有限公司 9年 暂无记录 加入进货单询价 ...
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET 宽度: 5 mm 下降时间: 3 ns 上升时间: 9 ns 典型关闭延迟时间: 20 ns 典型接通延迟时间: 6 ns CSD18540Q5B 场效应管 TI 输出功率 阳极电流 栅极电压 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着...
TI原装正品 TPS79801QDGNRQ1 低压差线性稳压器LDO 电子元器件 ¥ 3.50 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: TI 封装: VSON8 批号: 新年份 数量: 250000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VSON-CLIP-8 通道数量: 1 Channel ...
描述 MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON 湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 12 周 详细描述 表面贴装型-N-通道-60V-100A(Ta)-3.1W(T 数据列表 CSD18540Q5B Datasheet; 标准包装 2,500 包装 标准卷带 零件状态 有源 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 系列 NexFET™ 其它名称 296-41076...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VSON-CLIP-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 2.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V Qg-栅...