CSD18540Q5B MOSFET场效应管 TI 封装VSON8 晶体管 IC芯片 CSD18540Q5B 6660 TI/德州仪器 VSON8 新年份 ￥0.2100元10~49 个 ￥0.1900元50~99 个 ￥0.1700元100~-- 个 深圳市鸿胜芯电子有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 CSD18540Q5B 场效应管 TI 封装VSON8 批次22+电子元器件 ...
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产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 VSON-CLIP-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 60 V Id-连续漏极电流 100 A Rds On-漏源导通电阻 2.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 10 V Vgs th-栅源极阈值电压 1.5 V Qg-栅极电荷 41 nC 最小...
CSD18540Q5B 的特性 超低Qg和 Qgd 低热阻 雪崩额定值 无铅引脚镀层 符合RoHS 环保标准 无卤素 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装 CSD18540Q5B 的说明 此1.8mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗 并且采用了 5mm × 6mm SON 封装。
CSD18540Q5B TI 数据手册 功率MOSFET 8-PowerTDFN ￥8.7656 1,777 当前型号 FDMS86500L ON Semiconductor 功率MOSFET 25A(Ta),80A(Tc) ±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 2.5m Ohms@25A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN Power N-Channel 60V 25A 2.5 毫欧 @ 25A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)...
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET 宽度 5 mm 下降时间 3 ns 上升时间 9 ns 典型关闭延迟时间 20 ns 典型接通延迟时间 6 ns 可售卖地 全国 型号 CSD18540Q5B 技术参数 品牌: TI(德州仪器) 型号: CSD18540Q5B 数量: 5000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格:...
技术 MOSFET(金属氧化物) 标准包装 250 不同Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4230 pF @ 30 V Vgs(最大值) ±20V FET 功能 - 不同Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 53 nC @ 10 V 不同Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.2 毫欧 @ 28A,10V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V 工作温度...
CSD18540Q5BT 由TI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 arrow 等渠道进行代购。 CSD18540Q5BT 价格参考￥ 28.466 。 TI CSD18540Q5BT 封装/规格: VSON-CLIP-8_6X5MM, MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON。你可以下载 CSD18540Q5BT 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详...
CSD18540Q5BCSD18540Q5BTVS-8 60V N沟道 MOSFET场效应管*模块/ 新批次 深圳市圣裕贸易有限公司 4年 暂无记录 加入进货单询价 CSD18540Q5BT全新原装集成电子IC 封装VSON-CLIP-8 场效应管 TI德州仪器 23+ 深圳市万泽行贸易有限公司 5年 暂无记录
功率MOSFET 8-PowerTDFN 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号CSD18540Q5BT 制造商TI(德州仪器) 唯样编号C-CSD18540Q5BT 供货海外代购M代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 表面贴装型 N 通道 60 V 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6) ...