产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 VSON-CLIP-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 60 V Id-连续漏极电流 100 A Rds On-漏源导通电阻 2.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 10 V Vgs th-栅源极阈值电压 1.5 V Qg-栅极电荷 41 nC 最小...
贴片CSD18540Q5B VSON-8 60V N沟道 MOSFET场效应管 CSD18540Q5B 122000 TI/德州仪器 VSON-8 2023 ￥7.0000元1~9 个 ￥6.8000元10~99 个 ￥6.7000元>=100 个 深圳市正川电子有限公司 5年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 CSD18540B5Q集成电路封装电源处理器微适配控制器管场效应管进口原装N+P共漏...
XL7005A 车载电源芯片XLSEMI 封装SOP-8 驱动器 电源管理IC 芯片 ￥0.50 查看详情 LM2842XMK-ADJL 42V输入降压DC/DC稳压器 TI 封装SOT23-6 IC芯片 ￥0.56 查看详情 全新原装AQY210EH 光耦固态继电器 贴片SOP4 PANASONIC ￥0.23 查看详情 单片机 二极管 蜂鸣器 可调衰减器 pogopin连接器 传感器 晶振 ￥0.12...
CSD18540Q5B MOSFET场效应管 TI 封装VSON8 晶体管 IC芯片 CSD18540Q5B 6660 TI/德州仪器 VSON8 新年份 ￥0.2100元10~49 个 ￥0.1900元50~99 个 ￥0.1700元100~-- 个 深圳市鸿胜芯电子有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 TI 场效应管 CSD18540Q5B MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr ...
描述 MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON 湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 12 周 详细描述 表面贴装型-N-通道-60V-100A(Ta)-3.1W(T 数据列表 CSD18540Q5B Datasheet; 标准包装 2,500 包装 标准卷带 零件状态 有源 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 系列 NexFET™ 其它名称 296-41076...
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET 宽度 5 mm 下降时间 3 ns 上升时间 9 ns 典型关闭延迟时间 20 ns 典型接通延迟时间 6 ns 可售卖地 全国 型号 CSD18540Q5B 技术参数 品牌: TI 型号: CSD18540Q5B 封装: SMD 批号: 22+23+ 数量: 27500 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoH...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 VSON-CLIP-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 60 V Id-连续漏极电流 100 A Rds On-漏源导通电阻 2.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 10 V Vgs th-栅源极阈值电压 1.5 V Qg-栅极电荷 41 nC 最小...
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET 宽度 5 mm 下降时间 3 ns 上升时间 9 ns 典型关闭延迟时间 20 ns 典型接通延迟时间 6 ns 可售卖地 全国 型号 CSD18540Q5B 技术参数 品牌: TI/德州仪器 型号: CSD18540Q5B 封装: VSON8 批号: 23+ 数量: 15000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MO...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 VSON-CLIP-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 60 V Id-连续漏极电流 100 A Rds On-漏源导通电阻 2.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 10 V Vgs th-栅源极阈值电压 1.5 V Qg-栅极电荷 41 nC 最小...
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET 宽度 5 mm 下降时间 3 ns 上升时间 9 ns 典型关闭延迟时间 20 ns 典型接通延迟时间 6 ns 可售卖地 全国 型号 CSD18540Q5B 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发...