瞄准高端市场如车规级 SiC模块，融入全球供应链。应对价格战与行业出清 2025年碳化硅功率半导体产业进入整合期和淘汰期，企业需通过技术降本（如12英寸衬底研发）、聚焦高毛利产品如车用主驱SiC模块避免低端内卷。四、结论：从技术突破到产业生态的良性循环 中国碳化硅材料的崛起不仅是技术层面的突破，更是政策引导、市场...
材料设备方面，由于SiC的衬底材料生长的独特性，几家衬底巨头，包括国内的一些衬底厂商，很多都是自研自产衬底炉子，这也进一步拉高了进入衬底行业的难度——国外衬底巨头基本上不对外卖炉子，并且衬底生长的品质把控，有很多的know how是归集到衬底炉上面的。外延炉相对而言比较成熟，主要是使用MOCVD设备，设备玩家非常集...
从图3的数据也可以看出，SiC和GaN的晶格失配比Si和蓝宝石要好很多，但是成本也要高很多（SiC衬底价格远高于Si衬底和蓝宝石衬底）。蓝宝石衬底除了价格优势外，其衬底尺寸大，晶体质量高，因此其为基底的GaN也应用最为广泛。Si基材料是半导体的主流，对于GaN而言，能够在Si上生长意义重大，所以尽管晶格失配程度高（不...
通过SiC器件的使用,电动汽车可以获得更远的行驶里程,更快的充电速度、更高的电能转换效率,从内而外改变电动汽车行业 SiC在电动汽车领域有着巨大的应用潜力与市场空间。据Cree估计,长期来看(到2032年),SiC在电动车用市场空间可能达到150亿美元;短期来看,到2022年,也将快速成长达到24亿美元,是2017年车用SiC整体收入(...
Cree是全球最大的SiC衬底材料供应商，2018年，Cree将SiC材料产能增加了一倍，市场份额近60%，并与Infineon和ST两大汽车电子半导体供应商签订了多年供货协议。在用于制造GaN-on-SiC射频器件的高纯半绝缘SiC衬底市场，Cree的市场份额可达90%。Cree依托SiC衬底材料领域的核心竞争力，向GaN-on-SiC射频器件和SiC功率器件领域...
2000年代初期,Cree继续在SiC衬底技术开发和推广等方面处于领先地位,通过垂直整合,他们能够通过内部使用需求直接推动材料质量的改进,但这也意味着他们衬底和外延客户也是他们的主要竞争对手。 美国认为,SiC衬底只有单一供应商,可能会阻碍产业的发展,纯SiC衬底供应商对SiC和GaN器件技术的长期开发和商业化至关重要。
器件方面,分成IDM厂商和Fabless厂商,这里主要是说明SiC功率器件,对于SiC衬底应用于LED和GaN器件的情况――LED就不做说明了,GaN器件在下篇中来详述。IDM厂商目前主要还是以国外的巨头为主,除了Cree外,大都是传统的功率半导体巨头,他们在传统功率半导体市场上的相对竞争和势力情况,也影响着SiC产业的发展节奏,这些在后面来...
2006年Cree收购SiC衬底企业Intrinsic Semiconductor。 2011年,Cree推出了业界首款商用碳化硅功率MOSFET,这为节能电源开关建立了新的基准,并使设计工程师能够开发具有极快开关速度和超低开关损耗的高压电路。然后在2013年大幅改进第二代SiC MOSFET。 2013年4月,Cree和Delta Energy Systems宣布推出Delta新一代太阳能逆变器,...
Cree作为一个一整个产业发展规划的推动者和引领者,在衬底和外延行业领域都拥有绝对性的杰出竞争优势。市场占有率在50%左右。近些年更加是“一片难寻”。针对下游的电子元器件行业龙头来讲,安全保障供应最合适的方案,便是和Cree签署长期性供货协议。Cree现阶段的SiC原材料长期性供货合同的额度早已超出5亿美元,估计这个数...
2000年代初期,Cree继续在SiC衬底技术开发和推广等方面处于领先地位,通过垂直整合,他们能够通过内部使用需求直接推动材料质量的改进,但这也意味着他们衬底和外延客户也是他们的主要竞争对手。 美国认为,SiC衬底只有单一供应商,可能会阻碍产业的发展,纯SiC衬底供应商对SiC和GaN器件技术的长期开发和商业化至关重要。