材料设备方面，由于SiC的衬底材料生长的独特性，几家衬底巨头，包括国内的一些衬底厂商，很多都是自研自产衬底炉子，这也进一步拉高了进入衬底行业的难度——国外衬底巨头基本上不对外卖炉子，并且衬底生长的品质把控，有很多的know how是归集到衬底炉上面的。外延炉相对而言比较成熟，主要是使用MOCVD设备，设备玩家非常集...
从图3的数据也可以看出，SiC和GaN的晶格失配比Si和蓝宝石要好很多，但是成本也要高很多（SiC衬底价格远高于Si衬底和蓝宝石衬底）。蓝宝石衬底除了价格优势外，其衬底尺寸大，晶体质量高，因此其为基底的GaN也应用最为广泛。Si基材料是半导体的主流，对于GaN而言，能够在Si上生长意义重大，所以尽管晶格失配程度高（不...
Cree是全球最大的SiC衬底材料供应商，2018年，Cree将SiC材料产能增加了一倍，市场份额近60%，并与Infineon和ST两大汽车电子半导体供应商签订了多年供货协议。在用于制造GaN-on-SiC射频器件的高纯半绝缘SiC衬底市场，Cree的市场份额可达90%。Cree依托SiC衬底材料领域的核心竞争力，向GaN-on-SiC射频器件和SiC功率器件领域...
通过SiC器件的使用,电动汽车可以获得更远的行驶里程,更快的充电速度、更高的电能转换效率,从内而外改变电动汽车行业 SiC在电动汽车领域有着巨大的应用潜力与市场空间。据Cree估计,长期来看(到2032年),SiC在电动车用市场空间可能达到150亿美元;短期来看,到2022年,也将快速成长达到24亿美元,是2017年车用SiC整体收入(...
2000年代初期,Cree继续在SiC衬底技术开发和推广等方面处于领先地位,通过垂直整合,他们能够通过内部使用需求直接推动材料质量的改进,但这也意味着他们衬底和外延客户也是他们的主要竞争对手。 美国认为,SiC衬底只有单一供应商,可能会阻碍产业的发展,纯SiC衬底供应商对SiC和GaN器件技术的长期开发和商业化至关重要。
2006年Cree收购SiC衬底企业Intrinsic Semiconductor。 2011年,Cree推出了业界首款商用碳化硅功率MOSFET,这为节能电源开关建立了新的基准,并使设计工程师能够开发具有极快开关速度和超低开关损耗的高压电路。然后在2013年大幅改进第二代SiC MOSFET。 2013年4月,Cree和Delta Energy Systems宣布推出Delta新一代太阳能逆变器,...
Cree通过Wolfspeed品牌构建了从衬底材料到芯片设计的完整产业链。其6英寸SiC晶圆量产技术使器件成本下降40%,加速了第三代半导体商业化进程。与高校的合作研发体系(如北卡罗来纳州立大学联合实验室)每年培养超过500名专业人才,形成产学研闭环。 2021年拆分照明业务后,公司更聚焦于功率半导体赛道,其SiC市...
Cree，自成立之初就确定了SiC的发展方向。SiC单晶技术是它的核心产品，基于此它布局SiC衬底、外延、LED芯片、功率器件、射频器件。但Cree将资源倾注在SiC功率器件上仅是这两年的事情。2016年，Cree曾一度决定将Wolfspeed出售给英飞凌，出售的内容还包括相关的功率和射频功率器件碳化硅晶圆衬底业务，全现金交易的收购价格为...
A:目前Cree公司的小功率LED芯片都是采用碳化硅(SiC)材料为衬底的,而EZBright系列LED芯片则采用Si衬底结构。Cree公司是世界上少有采用碳化硅(SiC)材料为衬底生产蓝光、绿光和紫外光LED芯片的公司。 Q:Cree有没有双电极结构的芯片? A: Cree公司有推出采用碳化硅(SiC)材料为衬底的双电极结构芯片(ETC系列),型号有TR260...
SiC衬底和GaN基材料之间的晶格失配度更小,事实证明在SiC上生长获得的GaN晶体质量要略好于在蓝宝石衬底上的结果。但是SiC衬底尤其是高质量的SiC衬底制造成本很高,故鲜有厂商用于LED的材料外延。但是美国Cree公司凭借自身在高质量SiC衬底上的制造优势,成为业内唯一一个只在SiC衬底上生长LED的厂商,从而避开在蓝宝石衬底上...