(2)28nm节点:逻辑器件的晶体管中引入高k金属栅结构(HKMG),因而同时引入了两个关键的平坦化应用,包括虚拟栅开口CMP工艺和替代金属栅CMP工艺。 (3)32nm及22nm节点:铜互连低k介质集成的CMP工艺技术支持32nm和22nm器件的量产,其中开始出现的FinFET晶体管添加了虚拟栅平坦化工艺,这是实现后续3D结构刻蚀的关键技术。 七...
生长多层绝缘膜→在绝缘膜上制作层间导通孔和布线沟槽→在表面形成阻挡金属层和打底金属层→埋置Cu→对Cu和阻挡金属层进行CMP研磨制成平坦的Cu布线 双大马士革工艺 3、vs单大马士革工艺 单大马士革工艺:将单层金属导线制作由传统的金属蚀刻、电介质沉积改为电介质蚀刻、金属填充 双大马士革工艺:相比于单大马士革工艺,两...
从上到下分别是ST(Shallow TrenchIsolation，浅槽隔离)、W-Plug(钨塞)前的层间绝缘膜(图中标注为PMD，是PreMetalDielectrics的缩写)、钨塞以及在其上形成的Cu布线，需要CMP工艺的地方很多。其中，制造Cu布线的 Cu 双大马士革技术将在8-6中进行说明，是非常复杂且成本昂贵的工艺。而且如图所示，Cu的CMP工艺随着布...
CMP，即化学机械抛光，是一种通过化学和机械相结合的方式对硅片表面进行精确研磨和抛光的技术。正是这一技术的硬件基础，它能够实现硅片表面的全局平坦化，为后续的工艺提供良好的基础。CMP设备是半导体制造领域的关键工艺设备。二、CMP设备行业发展状况和发展前景 1、CMP 设备基本情况 1）CMP主要主要过程 CMP过程包括三...
1.1. CMP 工艺是晶圆全局平坦化的关键工艺 晶圆制造流程可以广义地分为晶圆前道和后道 2 个环节,其中前道工艺在晶圆厂中进行,主要负责晶圆的加工制造,后道工艺在封测厂中进行,主要负责芯片的封装测试,其中,化学机械抛光(CMP)是实现晶圆全局平坦化的关键工艺,指的是通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用,实现晶圆表...
对于芯片而言，这里的金刚钻当然不止光刻机一种，被称为现代电子工业灵魂的CMP工艺也是其中之一：芯片制程越先进，对硅片质量的要求就越高，晶圆制造就需要对硅片表面进行平坦化处理，CMP是目前最有效实现晶圆平坦化的超精密抛光技术。可以说：随着集成电路制造踏着摩尔定律的节奏快速发展，CMP对于集成电路制造的作用就越...
1.1.CMP 技术是集成电路生产制造的核心工艺之一 （1）CMP 技术随着芯片制程技术不断进步，经历过铝、铜、低 K 介质、钴等多种材料 技术进步。CMP（Chemical Mechanical Polishing）化学机械抛光概念从 1965 年由 Walsh 等人提出，发展至今已经成为 IC 制造工艺中不可或缺的环节之一。在 CMP 抛光技术的发 展历程...
CMP 抛光垫的主体是基底，通常由聚氨酯加工制成，在化学机械抛光过程中，抛光垫的作用主要有：存储抛光液及输送抛光液至抛光区域，使抛光持续均匀的进行；传递材料，去除所需的机械载荷；将抛光过程中产生的副产物（氧化产物、抛光碎屑等）带出抛光区域；形成一定厚度的抛光液层，提供抛光过程中化学反应和机械去除发生的...
CMP工艺流程主要包括以下几个步骤: 晶圆准备:将待抛光的晶圆放置到CMP设备的抛光头下,确保晶圆与抛光头之间的对准和固定。 抛光液注入:向晶圆与抛光垫之间注入适量的抛光液,抛光液中的化学成分开始与晶圆表面材料发生化学反应。 机械研磨:抛光头带动晶圆在抛光垫上做相对运动,利用抛光垫的机械研磨作用去除晶圆表面的不...
CMP工艺的主要步骤包括研磨、抛光和清洗三个过程。首先,使用研磨机或机械研磨工艺,去除掉硅片表面的杂质和粗糙度,使表面平整度提高;然后,将硅片放入抛光机中,使用抛光盘来进行抛光,通过旋转的抛光盘和硅片之间的接触和摩擦,将硅片表面的凸起物质逐渐磨去,直到达到所需的平整度;最后,进行清洗工艺,将抛光产生的残留物和...