1、 CMP 抛光垫 CMP 抛光垫的主体是基底，通常由聚氨酯加工制成，在化学机械抛光过程中，抛光垫的作用主要有：存储抛光液及输送抛光液至抛光区域，使抛光持续均匀的进行；传递材料，去除所需的机械载荷；将抛光过程中产生的副产物（氧化产物、抛光碎屑等）带出抛光区域；形成一定厚度的抛光液层，提供抛光过程中化学反...
2、CMP制程工艺材料细分市场分析 (1)CMP抛光垫 CMP抛光垫的主体是基底,通常由聚氨酯加工制成,在化学机械抛光过程中,抛光垫的作用主要有:存储抛光液及输送抛光液至抛光区域,使抛光持续均匀的进行;传递材料,去除所需的机械载荷;将抛光过程中产生的副产物(氧化产物、抛光碎屑等)带出抛光区域;形成一定厚度的抛光液层,...
CMP制程材料需在严格的环境条件下储存。研磨垫的磨损特性影响抛光的一致性。研磨液的化学稳定性决定其使用寿命。陶瓷材料抛光对CMP制程材料有特殊要求。提高CMP制程材料性能可提升生产效率。 研磨垫的表面纹理设计影响抛光效果。研磨液的添加剂能改善抛光的质量。蓝宝石衬底抛光依赖合适的CMP制程材料。CMP制程材料的质量...
CMP制程工艺材料主要依托 CMP 技术的化学-机械动态耦合作用原理，通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化；其涉及力学、化学、摩擦学、高分子材料学、固体物理和机械工程学等多学科的交叉，研发制造难度大。根据艾邦半导体网数据，美国杜邦（Dupont）占据了全球 CMP 抛光...
本文介绍了CMP制程中的抛光垫的成分和作用。CMP技术的目的是消除硅片表面的高点及波浪形。抛光垫是输送研磨浆料的关键部件, 它用于将研磨浆中的磨蚀粒子送入片子表面并去除副产品,平坦化的获得是因为硅片上那些较高的部分接触抛光垫而被去除。CMP抛光垫的成分...
答：公司CMP产品在成熟制程方面已基本实现全覆盖，先进制程方面也在加快推进中，除上述晶圆制造以外，在先进封装、大硅片生产领域也有成熟应用。减薄产品在技术指标方面均对标国际竞争对手的先进机型，目前也实现了小批量出货。问：公司最近出现高管离职情况，能否介绍一下离职原因？答：公司原高管、核心技术人员沈攀先生因...
IntroductionofCMP CMP发展史 •1983:CMP制程由IBM发明。•1986:氧化硅CMP（Oxide-CMP）开始试行。•1988:金属钨CMP（WCMP）试行。•1992:CMP开始出现在SIARoadmap。•1994:台湾的半导体生产厂第一次开始将化学机械研磨 应用于生产中。•1998:IBM首次使用铜制程CMP。SMIC IntroductionofCMP CMP制程的全貌简介...
一、CMP是使晶圆表面平坦化关键技术,芯片制程升级带动CMP次数及材料用量增加 观研报告网发布的《中国CMP抛光材料行业现状深度分析与发展前景预测报告(2025-2032年)》显示,化学机械抛光(chemical mechanical polishing, CMP)是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键技术。
芯片制造主要包括光刻、CMP、刻 蚀、薄膜和掺杂等关键工艺技术，在芯片制造制程和工艺演进到一定程度、摩尔定 律因没有合适的抛光工艺无法继续推进。传统的机械抛光和化学抛光去除速率均低 至无法满足先进芯片量产需求，因此结合了机械抛光和化学抛光各自长处的 CMP 技术应运而生，是目前唯一能兼顾表面全局和局部平坦化...