新思科技推出基于TSMC 7nm FinFET工艺技术的汽车级IP 基于7nm工艺技术的控制器和PHY IP具有丰富的产品组合,包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全IP。 IP解决方案支持TSMC 7nm工艺技术所需的先进汽车设计规则,满足可靠性和15年汽车运行要求。 2018-10-18 14:57:21 ...
其主要是基于BiCMOS,高级CMOS工艺和FinFET节点在ESD敏感电路的实现。然而,传统ESD解决方案的寄生电容限制了信号频率。本文介绍了用于高速SerDes(28Gbps至112Gbps)电路的台积电(TSMC)28nm CMOS和台积电(TSMC) 16nm,12nm,7nm FinFET工艺中使用的小面积,低电容模拟I/O。ESD解决方案的寄生电容降低到100fF以下,而某些硅光...
FinFET技术提供了超过体CMOS的许多优点,例如给定晶体管占空比的更高的驱动电流,更高的速度,更低的泄漏,更低的功耗,无随机的掺杂剂波动,因此晶体管的移动性和尺寸更好,超过28nm。 在常规MOS中,掺杂被插入通道中,减少各种SCE并确保高V th。在FinFET中,栅极结构被缠绕在通道周围并且主体是薄的,从而提供更好的SCE,...
Synopsys推出支持TSMC 7nm工艺技术 新思科技(Synopsys)推出支持TSMC 7nm FinFET工艺技术的汽车级DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2 2018-11-13 16:20:23 标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望 处理的模拟部分提出了更高的要求,例如:在光电子接口通信场合,从OC-48到...
在高速接口(Serdes)方向,FinFET CMOS的工艺已经成为事实上的主流。单通道56Gbps这一代应该大都采用16nm的FinFET,下一代112Gbps应该会采用7nm工艺。 这背后的道理有两个方面。第一是高速接口本身的性能。高速接口中数字电路的比重很大,采用FinFET工艺可减小芯片面积和功耗。面积小一般也意味着寄生电容小,有利于提高速...
里面解释了了半导体技术的一些术语,比如常见的xxnm工艺指的就是线宽,FinFET、FD-SOI则是指晶体管结构,Intel从22nm工艺、TSMC/三星/GF则是从16/14nm节点开始使用FinFET工艺,今年的工艺会发展到10nm,下一代则是7nm,TSMC、三星还提出了5nm工艺路线图,Intel这边就比较谨慎,5nm进展尚未公布。
More importantly, unlike the previous generation 9000 processors manufactured using TSMC N5 process, this processor is manufactured by Chinese foundry SMIC, using their second-generation 7nm process, referred to as the N+2 process. The SMIC 7nm (N+2) process is the first commercial use Tech...
里面解释了了半导体技术的一些术语,比如常见的xxnm工艺指的就是线宽,FinFET、FD-SOI则是指晶体管结构,Intel从22nm工艺、TSMC/三星/GF则是从16/14nm节点开始使用FinFET工艺,今年的工艺会发展到10nm,下一代则是7nm,TSMC、三星还提出了5nm工艺路线图,Intel这边就比较谨慎,5nm进展尚未公布。
,里面解释了了半导体技术的一些术语,比如常见的xxnm工艺指的就是线宽,FinFET、FD-SOI则是指晶体管结构,Intel从22nm工艺、TSMC/三星/GF则是从16/14nm节点开始使用FinFET工艺,今年的工艺会发展到10nm,下一代则是7nm,TSMC、三星还提出了5nm工艺路线图,Intel这边就比较谨慎,5nm进展尚未公布。
,里面解释了了半导体技术的一些术语,比如常见的xxnm工艺指的就是线宽,FinFET、FD-SOI则是指晶体管结构,Intel从22nm工艺、TSMC/三星/GF则是从16/14nm节点开始使用FinFET工艺,今年的工艺会发展到10nm,下一代则是7nm,TSMC、三星还提出了5nm工艺路线图,Intel这边就比较谨慎,5nm进展尚未公布。IRDS中介绍的CMOS工艺...