Cd1-xZnxTe: ionization energiessemiconductorphysical propertyThis document is part of Subvolume C `New Data and Updates for III-V, II-VI, I-VII Compounds' of Volume 44 `Semiconductors' of Landolt-Börnstein - Group III `Condensed Matter'.doi:10.1007/978-3-540-92140-0_247J. GutowskiK. SebaldT. VossSpringer Berlin Heidelberg
Cd1-xZnxTe晶体基片产品概述: II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。联系我们 附件下载 售后支持 立即购买 免责声明: 本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)仅用于宣传用途,仅供参考。由于更新...
中科欧德 晶体 Cd1-xZnxTe晶体基片 纯度 规格 尺寸 可定制 价格 ¥ 1.00 起订数 1克起批 发货地 北京 商品类型 日用百货 、 贵金属/珠宝/玉石 、 其他贵金属/珠宝/玉石 商品关键词 晶体、 Cd1xZnxTe晶体基片 商品图片 商品参数 品牌: 中科欧德 金属含量: 99.99% 杂质含量: 0.01% 规格: 可...
Alloys of Cd1-xZnxTe show persistent photoconductive (PPC) behavior similar to that reported in pure CdTe. The results of Hall coefficient and mobility measurements for 0⩽X⩽0.3 show that the PPC behavior in these materials may be attributed to the double-acceptor model, as originally propose...
Shen, J, Aidun, DK, Regel, L, Wilcox, WR (1993) Characterization of precipitates in CdTe and Cd1-xZnxTe grown by vertical Bridgman-Stockbarger technique. J. Cryst. Growth 132: pp. 250-260Shen J,Aidun D K,Regel L,Wilcox W R.Characterization of precipitates in CdTe and Cd1-xZnxTe...
2.1Cd1-xZnxTe 多晶薄膜的制备 我们使用图 的共蒸发装置来制备 -I I 多晶薄膜 . 真空室 ( 真空度 >0 -3 PaD 中 , 两 个独立的蒸发源分别加热 (99 998%D 粉末和 (99 999%D 粉末 , 蒸发的蒸发器用石英 容器 , 外面绕上加热钨丝 ,
PVT 法生长 ZnTe 和 Cd1—xZnxTe 单晶衬底 晓晔【期刊名称】《电子材料快报》 【年(卷),期】2000(000)003 【总页数】3 页(P9-11) 【作者】晓晔 【作者单位】无 【正文语种】中文 【中图分类】O78 【相关文献】 1.在 CaF2 衬底上常压 MOCVD 法生长 ZnSe-ZnTe 应变超晶格 [J], 江风益;范广 涵;范...
1,000-1,000-50005001,0001,5002,0002,500L1997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021100% (/年) 文献信息 篇名PVT法生长ZnTe和Cd1—xZnxTe单晶衬底 来源期刊电子材料快报学科物理学 关键词PVT法生长单晶 年,卷(期)dzclkb_2000,(3)所属期刊栏目 ...
Time-resolved as well as time-integrated luminescence of a bulk grown undoped Cd0.12Zn0.88Te crystal is measured to investigate the effect of compositional disorder on the recombination dynamics. The temporal behavior of the neutral-donor-bound exciton emission is well expressed by a simple exponentia...
A comprehensive study of impurity-induced phonon disordering in Cd1-xZnxTe alloys is reported for a variety of samples (with composition ranging from x=0.005–0.5, and 1) by using far-infrared reflectivity and Raman-scattering spectroscopy. Substantial differences were noted among the various publish...