ICP和CCP干法刻蚀的主要区别在于产生等离子体的方式和刻蚀效果。 1. 产生等离子体的方式:ICP利用感应耦合产生等离子体,而CCP利用电容耦合产生等离子体。 2. 刻蚀效果:ICP干法刻蚀具有较好的刻蚀均匀性和精度,但对材料表面的损伤相对较大;CCP干法刻蚀设备简化、成本更低,对材料表面的损伤较小,但刻蚀速率较慢且不均匀。