C3M0120090J扩展了其在碳化硅 (SiC) 技术低电感分立封装方面的领先地位,具有宽漏极和源极之间的爬电距离和间隙距离 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高频能力,同时提供适用于高污染环境的额外电气隔离。独立的 Kelvin 源极引脚降低了电感;可将开关损耗降低多达 30%。设计人员可以通过从基于硅的转变来减少组件数...
C3M0120090J是一款芯片 --- 产品详情 --- 900 V、120 mΩ、22 A、TO-263-7 封装、第 3 代分立 SiC MOSFET Wolfspeed 扩大了其在碳化硅 (SiC) 技术低电感分立封装领域的领先地位,具有宽爬电距离和漏极与源极之间的间隙距离 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高频能力,同时提供适合高污染环境的额外电气...
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WOLFSPEED, INC. C3M0120090J 986Kb / 10P Silicon Carbide Power MOSFET C3M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Rev. 2 10-2020 More results Similar Description - C3M0120090J Manufacturer Part # Datasheet Description Cree, Inc C2M0080120D 1Mb / 10P Silicon Carbide Power MOSFET C...
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