C3M0120090D扩展了其在碳化硅 (SiC) 技术低电感分立封装方面的领先地位,具有宽漏极和源极之间的爬电距离和间隙距离 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高频能力,同时提供适用于高污染环境的额外电气隔离。独立的 Kelvin 源极引脚降低了电感;可将开关损耗降低多达 30%。设计人员可以通过从基于硅的转变来减少组件数...
规格 请选择规格 属性 品牌:其他 批号:- 应用领域:- 规格:C3M0120090D 评价 0.0 深圳市洪方微电子有限公司 2年 -- 回头率 -- 近90天买家数 货描 -- 响应 -- 发货 -- 进入店铺 全部商品 图文详情 价格说明 【一般情况下】 划线价格:划线的价格可能是商品的销售指导价或该商品的曾经展示过...
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最大工作温度 100C 最小电源电压 4V 最大电源电压 9V 长度 9.6mm 宽度 3.1mm 高度 2.6mm 可售卖地 全国 型号 C3M0120090D 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下...
C3M0120090D 品牌名称WOLFSPEED 商品型号C3M0120090D 商品编号C5713506 商品封装TO-247-3 包装方式 管装 商品毛重 6.77克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 碳化硅场效应管(MOSFET) 沟道类型 1个N沟道 漏源击穿电压(Vds) 900V 属性参数值 连续漏极电流(Id) 23A 耗散功率(Pd) ...
C3M0120090D是一款芯片 --- 产品详情 --- 900 V、120 mΩ、23 A、TO-247-3 封装、第 3 代分立 SiC MOSFET Wolfspeed 扩大了其在碳化硅 (SiC) 技术低电感分立封装领域的领先地位,具有宽爬电距离和漏极与源极之间的间隙距离 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高频能力,同时提供适合高污染环境的额外电气...
HC3M0120090D由HXY MOSFET(华轩阳电子)设计生产,立创商城现货销售。HC3M0120090D价格参考￥17.98。HXY MOSFET(华轩阳电子) HC3M0120090D参数名称:沟道类型:1个N沟道;漏源击穿电压(Vds):900V;连续漏极电流(Id):23A;耗散功率(Pd):97W;阈值电压(Vgs(th)):3.5V;栅极
C3M0120090D 制造商: M/A-COM Technology Solutions 功能描述: RF & MICROWAVE PRODUCT SOLUTIONS 6.04 - Bulk 供应商 企业: 深圳市华诺原芯科技有限公司 商铺: 进入商铺 联系人: 林先生 手机: 18029532482 询价: 电话: 0755-23890264 地址: 深圳市福田区华强北街道华航社区华强北路1019号华强广场D座27I ...
C3M0120090D - 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V 声明:图片仅供参考,请以实物为准! 制造商: WOLFSPEED 制造商产品编号: C3M0120090D 仓库库存编号: 2630825 技术数据表: (EN) 订购热线:400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com ...
C3M0120090D 品牌:Wolfspeed 封装规格:TO-247-3 ECCN: EAR99 描述: 晶体管: N-MOSFET; 单极; 900V; 23A; 97W; TO247-3; SiC; 系列: C3M™ 供应商:verical 商品类别:MOS管 数据手册: 下载数据手册 额外关税:-- 内部编码:-- 商品详情 更多渠道 替代推荐 参数详情 类型: N沟道 漏源电压...