下载C3M0040120K下载 文件大小1020.91 Kbytes 页12 Pages 制造商CREE [Cree, Inc] 网页http://www.cree.com/ 标志 功能描述SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnology 类似零件编号 - C3M0040120K 制造商部件名数据表功能描述 WOLFSPEED, INC.C3M0040120K ...
立创商城提供 WOLFSPEED 的 碳化硅场效应管(MOSFET) C3M0040120K 的PDF数据手册和参考资料,查看 C3M0040120K 数据手册和购买 C3M0040120K 上立创商城。
C3M0040120K 电子元器件 CREE/科锐 规格书 PDF 数据手册 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注...
C3M0040120K 电子元器件 CREE/科锐 规格书 PDF 数据手册 价格 ¥ 0.55 ¥ 0.45 ¥ 0.35 起订数 1个起批 100个起批 500个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 C3M0040120K、 CREE/科锐 ...
产品中心>分离式半导体>C3M0040120K 图片仅供参考,请参阅产品规格。 1200V 40MOHM SIC MOSFET 制造商 :Wolfspeed 封装/规格 :TO-247-4 产品分类 :分离式半导体 Datasheet:C3M0040120K Datasheet (PDF) RoHs Status:False 生命周期:Production 库存:7441 ...
C5588747 商品封装 TO-247-4L 包装方式 管装 商品毛重 9.15克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录碳化硅场效应管(MOSFET) 沟道类型1个N沟道 漏源击穿电压(Vds)1200V 属性参数值 连续漏极电流(Id)66A 耗散功率(Pd)326W 数据手册PDF ...
C5588747 商品封装 TO-247-4L 包装方式 管装 商品毛重 9.15克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录碳化硅场效应管(MOSFET) 沟道类型1个N沟道 漏源击穿电压(Vds)1200V 属性参数值 连续漏极电流(Id)66A 耗散功率(Pd)326W 数据手册PDF ...