型号:C3M0075120K-A --- 产品参数 --- 漏源电压1200V 栅极-源极电压动态-8/+19V 栅极-源极电压静态4/+15V 脉冲漏极电流80A 功耗136W 工作结温和存储温度-40to +175˚C 焊接温度260˚C --- 产品详情 --- C3M0075120K-A1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化,可用于 UPS 等大功率应用;电...
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制造商编号 C3M0075120K-A 制造商 WOLFSPEED 唯样编号 N-C3M0075120K-A-0 供货 海外代购 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 75mOhm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 Power Field-Effect Transistors 参数信...
C3M0075120K-WOLFSPEED-Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 30.8 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, 15 V, 2.5 V. 现在就预定 C3M0075120K! 质优价廉, 发货迅速的 WOLFSPEED 现货产品。
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 C3M0075120K、 CREE/科锐、 TO-247 商品图片 商品参数 品牌: CREE/科锐 封装: TO-247 批号: 22+ 数量: 9052 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 125C 最小电源电压:...
B2M065120Z国产代替英飞凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N120M3S,C3M0075120K-A,意法SCT070W120G3-4AG。 新闻中心 基半B2M第二代碳化硅MOSFET在DAB,CLLLC拓扑应用中的优势 基半第二代SiC碳化硅MOSFET在光逆变器及光储一体机中的应用 国产车规级基半B2M第二代SiC碳化硅MOSFET在OBC中的应用 SiC碳化硅MOSFET在...
制造商编号 C3M0075120K-A 制造商 WOLFSPEED 唯样编号 M-C3M0075120K-A 供货 海外代购 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 75mOhm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 Power Field-Effect Transistors 参数信息 ...
C3M0075120K-A 图像仅供参考,请参阅产品规格书 star收藏商品 询价 品牌:WOLFSPEED 型号:C3M0075120K-A 商品编号:DS36050389 封装规格: 商品描述:碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial 商品详情 商品介绍