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C3M0040120K 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化,可用于 UPS 等大功率应用;电机控制和驱动;开关电源;太阳能和储能系统;电动汽车充电;高压 DC/DC 转换器;和更多。基于第三代技术;各种各样的导通电阻和封装选项使设计人员能够为他们的应用选择正确的部件。将的 1200 V 碳化硅二极管与碳化硅 MOSFET 配对,为...
C3M0120090D C3M0120090J E3M0120090J C3M0280090D C3M0280090J C3M0065100K C3M0065100J C3M0120100K C3M0120100J C3M0016120D C3M0016120K E3M0016120K C3M0021120D C3M0021120K E3M0021120K C2M0025120D C3M0032120D C3M0032120K E3M0032120K C3M0032120J1 C3M0040120D C3M0040120K C2M0040120D...
产品规格 型号 C3M0040120K 阻断电压 1200V 阻抗(Ron) 40mΩ 额定电流 66A 总栅极电荷 99nC 输出电容 103pF 功率Ptot 326W 封装 TO-247-4 下载C3M0040120K.pdf规格书 产品优势 宽禁带第三代半导体碳化硅功率器件 碳化硅(SiC)功率器件与传统硅功率器件相比,拥有更低的导通电阻特性以及出色的耐温工作环境、更...
型号 C3M0040120K 技术参数 品牌: CREE 型号: C3M0040120K 封装: TO-247 批号: 24+ 数量: 10000 产品应用: 电子设备 产品类别: 电子元器件 是否支持订货: 是 现货交期: 1个工作日内 是否支持样品: 是 产品认证: UL,RoHS,CSA,TUV 是否提供FAE: 是 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价...
原装SZTVS4201MR6T1G正品(TVS DIODE 5VWM 12VC 6TSOP) ¥5.14 原装TJ-L5FYTXHMCSLCRGB-A5全新(Red,Green,Blue 320mW -2 ¥0.89 原装V25S750P全新(VARISTOR 1.2KV 22KA RADIAL) ¥19.46 原装GT21-2/1S-HU全新(CONN INLINE SOCKET HOUSING) ¥0.85...
最大工作温度 130C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 8V 长度 7.9mm 宽度 7.2mm 高度 1.4mm 可售卖地 全国 型号 C3M0040120K 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以...
原装MP1601AGTF-Z正品(降压 稳压器 正 可调式 1 输出 ¥[1_7ij1w4tp#51#MzMzMz5rdGKObNtinmP9aFJi0mifZWF9MWLcZotndWCNZdRTkGeJYZNii2s2ZLBuc1PTU6dtzmcEU4Nj930xYUVqXWLwb0JrImVpb/tijnzabhFsCG0pYR195mdNaG9sbWiI] 原装AC0402BRNPO9BN1R5正品(CAP CER 1.5PF 50V C0G/NP ¥[1_7ij1w4tp#51...
品牌名称WOLFSPEED 商品型号 C3M0040120K 商品编号 C5588747 商品封装 TO-247-4L 包装方式 管装 商品毛重 9.15克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录碳化硅场效应管(MOSFET) 沟道类型1个N沟道 漏源击穿电压(Vds)1200V 属性参数值