一、BU508A参数详解 1. 最大额定值 * 集电极-发射极电压(VCEO):1700V * 集电极-基极电压(VCBO):1500V * 发射极-基极电压(VEBO):6V * 集电极电流(IC):8A * 总耗散功率(Pt):125W (Tc=25℃) 2. 电特性(Ta=25℃) * 直流电流增益(hFE):40-160 * 集电极截止电流(ICBO):100nA 二
BU508A中文资料规格参数 BU508A概述 类别:分离式半导体产品 家庭:晶体管(BJT) - 单路 系列:- 晶体管类型:NPN 电流- 集电极 (Ic)(最大):8A 电压- 集电极发射极击穿(最大):700V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 2A, 4.5A 电流- 集电极截止(最大):1mA ...
BU508A 参数：晶体管极性: NPN 功耗 : 125 集电极--基极击穿电压: 1500 三极管，全称应为半导体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片...
BU508A的基本参数如下：类别：分离式半导体产品。家庭：晶体管 单路。晶体管类型：NPN。电流集电极：8A。电压集电极发射极击穿：700V。Ib、Ic条件下的Vce饱和度：1V @ 2A, 4.5A。电流集电极截止：1mA。功率最大：125W。频率转换：7MHz。安装类型：通孔。封装/外壳：TO2473。包装：管件。这些参数描...
大功率晶体管BU508A参数详情规格书 超声波设备专用三极管 SPTECH BU508A 1 SPTECH Silicon NPN Power Transistor BU508A DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-:V CEO(SUS)=700V (Min)·High Power Dissipation-:P D =125W@T C =25℃ APPLICATIONS ·Designed for use in large screen color ...
BU508A 参数-双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全制造商产品编号: BU508A材料: Si晶体管极性: NPN功耗(Pd): 125集电极--基极击穿电压 (Ucb): 1500集电极--发射极击穿电压 (Uce): 700发射极--基极击穿电压 (Ueb): 0最大集电极电流 (Ic): 8工作温度最高值 (Tj), °C: 150最大工作频率 (ft): 7...
BU508D NPN silicon power transistor. Horizontal deflection output stages of large screen colour deflection circuits. 8Amp, 1500V, 125Watt. BU508A PDF资料和参数原理简介 品牌:Usha 封装形式 : TO-218 引脚数量 : 3 温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C ...
BU508A 参数-双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全 制造商产品编号: BU508A 材料: Si 晶体管极性: NPN 功耗 (Pd): 125 集电极--基极击穿电压 (Ucb): 1500 集电极--发射极击穿电压 (Uce): 700 发射极--基极击穿电压 (Ueb): 0 最大集电极电流 (Ic): 8 工作温度最高值 (Tj), °C: ...
类别：分离式半导体产品家庭：晶体管(BJT) -单路晶体管类型：NPN电流-集电极(Ic)（最大）：8A电压-集电极发射极击穿（最大）：700VIb、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 2A, 4.5A电流-集电极截止（最大）：1mA在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE)：-功率-最大：125W频率-转换：7MHz...