BU508A 参数:晶体管极性: NPN功耗 : 125集电极--基极击穿电压: 1500三极管,全称应为半导体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微... 现货bu508a,原装正品,可签订假货赔偿协议 bu508a电子采购平台,大量现货储备实现一站式采购,原装全品类目,bu508a可当天发货,了解详细批次,库存,封装信息请咨询在线客服....
BU508A中文资料规格参数 BU508A概述 类别:分离式半导体产品 家庭:晶体管(BJT) - 单路 系列:- 晶体管类型:NPN 电流- 集电极 (Ic)(最大):8A 电压- 集电极发射极击穿(最大):700V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 2A, 4.5A 电流- 集电极截止(最大):1mA ...
家庭：晶体管(BJT) -单路 晶体管类型：NPN 电流-集电极(Ic)（最大）：8A 电压-集电极发射极击穿（最大）：700V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 2A, 4.5A 电流-集电极截止（最大）：1mA 在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE)：- 功率-最大：125W 频率-转换：7MHz 安装类型：...
BU508A 参数-双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全制造商产品编号: BU508A材料: Si晶体管极性: NPN功耗(Pd): 125集电极--基极击穿电压 (Ucb): 1500集电极--发射极击穿电压 (Uce): 700发射极--基极击穿电压 (Ueb): 0最大集电极电流 (Ic): 8工作温度最高值 (Tj), °C: 150最大工作频率 (ft): 7...
大功率晶体管BU508A参数详情规格书 超声波设备专用三极管 SPTECH BU508A 1 SPTECH Silicon NPN Power Transistor BU508A DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-:V CEO(SUS)=700V (Min)·High Power Dissipation-:P D =125W@T C =25℃ APPLICATIONS ·Designed for use in large screen color ...
BU508A 参数-双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全 制造商产品编号: BU508A 材料: Si 晶体管极性: NPN 功耗 (Pd): 125 集电极--基极击穿电压 (Ucb): 1500 集电极--发射极击穿电压 (Uce): 700 发射极--基极击穿电压 (Ueb): 0 最大集电极电流 (Ic): 8 工作温度最高值 (Tj), °C: ...
BU508D NPN silicon power transistor. Horizontal deflection output stages of large screen colour deflection circuits. 8Amp, 1500V, 125Watt. BU508A PDF资料和参数原理简介 品牌:Usha 封装形式 : TO-218 引脚数量 : 3 温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C ...
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