### 产品简介**BSC900N20NS3 G-VB** 是一款高性能单 N-Channel MOSFET,封装形式为 DFN8(5x6)。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具备高耐压和稳定的电流承载能力,适合用于高电压、高功率的开关和电源管理应用。### 详细参数说明- **封装**: DFN8(5x6) - **配置**: 单 N-Channel...
**BSC900N20NS3 G-VB** 是一款高性能单 N-Channel MOSFET,封装形式为 DFN8(5x6)。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具备高耐压和稳定的电流承载能力,适合用于高电压、高功率的开关和电源管理应用。 ### 详细参数说明 - **封装**: DFN8(5x6)- **配置**: 单 N-Channel- **漏源电压 (V_DS)**: 200...
型号 BSC320N20NS3 G BSC900N20NS3 G BSC600N25NS3 G 产品详情 诚信经营,客户至上 电话:0755-29275935 手机:18576729816 诚信经营,客户至上 电话:0755-29275935 手机:18576729816 大家都在找 换一换 查看详情 ¥0.10元 广东深圳 AD5231BRUZ50 TSSOP ADI品牌 查看详情 ¥1.00元 广东深圳 39-28-8040...
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制造商产品型号:BSC900N20NS3 G 制造商:英飞凌半导体(Infineon) 描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON 系列:OptiMOS? FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):200V 电流- 连续漏极 (Id)(25°C 时):15.2A(Tc) ...
BSC900N20NS3 G由International Rectifier设计生产,在SENTAI Online现货销售,并且可以通过SENTAI Online进行代购。BSC900N20NS3 G价格参考$ 0。BSC900N20NS3 G-类别 :Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single ;系列 :OptiMOS™;包装 :Tape & Reel (TR);零件状态 :Active;FET ...