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BLF6G10-135RN; BLF6G10LS-135RN Power LDMOS transistor Rev. 02 — 21 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 135 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF performan...
BLF6G10LS-135RN,11 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 频率 871.5MHz ~ 891.5MHz 额定电流 32 A 输出功率 26.5 W 增益 21 dB 测试电流 950 mA 工作温度(Max) 225 ℃ 工作温度(Min) -65 ℃ 额定电压 65 V 封装参数 安装方式 ...
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BLF6G10LS-135R,112 厂商: AMPLEON(安谱隆) 封装: SOT502B 描述: FET RF 65V 891.5MHZ SOT502B 数据手册:下载BLF6G10LS-135R,112.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 BLF6G10LS-135R,112 数据手册 下载PDF BLF6G10LS-135R,112 价格&库存 -> 查询更多价格&库存 很抱歉,暂时无法提供与“BLF6G10...
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产品详情 品牌/型号:NXP/BLF6G10LS-135R 类型:通信IC 批号:34 科俊达电子.联系Q:617186259/82863188.手机:13612322552/13926781623联系:范先生.柯小姐 供应商信息 公司地址 铁路五村菜场 营业期限 37192-04-06至无固定期限经营状态 吊销 公司类型 个体工商户成立日期 2005-03-23 法人代表 戴海峰注册机构 南昌市...
如果阻值小于1k欧姆则认为失效，不知此方式是否正确？请达人指点！就我司测试1.7k的也有失效的，具体到多少是ok的还没有一个量本。
型号BLF6G10LS-135RN 制造商Ampleon 描述51.3 dBm (135 W), LDMOS晶体管,700 - 1000 MHz 频率700 - 1000 MHz 增益21 dB 功率(W)135 W 封装类型法兰, 陶瓷 类似商品 BLF10M6LS135 晶体管 Ampleon BLF10M6135 晶体管 Ampleon BLP8G10S-45P
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