BLF6G10-135RN; BLF6G10LS-135RN Power LDMOS transistor Rev. 02 — 21 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 135 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF performan...
BLF6G10LS-135RN,11 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 频率 871.5MHz ~ 891.5MHz 额定电流 32 A 输出功率 26.5 W 增益 21 dB 测试电流 950 mA 工作温度(Max) 225 ℃ 工作温度(Min) -65 ℃ 额定电压 65 V 封装参数 安装方式 ...
型号BLF6G10LS-135RN 制造商Ampleon 描述51.3 dBm (135 W), LDMOS晶体管,700 - 1000 MHz 频率700 - 1000 MHz 增益21 dB 功率(W)135 W 封装类型法兰, 陶瓷 类似商品 BLF10M6LS135 晶体管 Ampleon BLF10M6135 晶体管 Ampleon BLP8G10S-45P