而FET是一种单极（Unipolar）器件，只有多数载流子负责电流的流动。FET具有漏极、栅极、源极和channel。多数载流子从源极进入，通过通道流动并到达漏极。因此，电流的方向是从漏极到源极。施加在栅极端的电压决定了流经通道的电流大小，因此FET被称为电压控制设备。截止区 (Cut-off Region)：在这个区域，MOSFET的栅...
因此,FET的增益比BJT小。 由于FET仅利用电子或空穴一种类型的电荷载流子,因此恢复时间非常快。因此,它的开关速度非常快,可以用于非常高频的应用。 有两种类型的FET晶体管,即JFET(结场效应管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)。 #6 结场效应晶体管JFET Junction Field Effect Transistor JFET JFET或结场效应晶体...
因此,FET的增益比BJT小。 由于FET仅利用电子或空穴一种类型的电荷载流子,因此恢复时间非常快。因此,它的开关速度非常快,可以用于非常高频的应用。 有两种类型的FET晶体管,即JFET(结场效应管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)。 #6 结场效应晶体管JFET Junction Field Effect Transistor JFET JFET或结场效应晶体...
尽管此图有助于介绍一般的FET操作,但实际上是在描述一种相对不常见的器件,称为结型场效应晶体管(JFET)。 如今,绝大多数场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。 MOSFET具有将栅极与沟道分隔开的绝缘层。 因此,与BJT不同,MOSFET不需要稳态输入电流。 通过施加电压可以简单地调节流过通道的电流。 下...
MOSFET与BJT之间有何不同?MOSFET和BJT之间哪个更好? 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种场效应晶体管(FET),由三个端子-栅极、源极和漏极组成。在MOSFET中,漏极由栅极端的电压控制,因此MOSFET是一种电压控制器件。施加在栅极上 2023-07-07 10:13:35 ...
FET，即场效应晶体管，是一种三端器件，包含源极、漏极、栅极和主体位。这种简洁的符号不仅描绘了其基本结构，更体现了其核心功能。而FET实际上又可分为两种类型：一种是JFET，即结场效应晶体管，它拥有三个终端；另一种是MOSFET，也就是金属氧化物半导体场效应晶体管，它则增加了第四个终端。BJT与FET的差异...
如您所见,被通道隔开的端子称为源极和漏极,而栅极是施加控制电压的端子。 尽管此图有助于介绍一般的FET操作,但实际上是在描述一种相对不常见的器件,称为结型场效应晶体管(JFET)。 如今,绝大多数场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
FET 电压控制电流元器件 常用于大电流,高功率 输入阻抗高 放大倍数较低 JFET与MOSFET特点 JFET pn接反偏控制电流,绝大部分是耗尽型(有通道) 输入阻抗较小,10^9欧姆 相对噪音较低 MOSFET 绝缘栅两侧形成类似电容的电场效应 耗尽型与增强型普遍存在 输入阻抗通畅为10^14欧姆,很大 ...
说到饱和区的问题，不得不提一下英飞凌OptiMOS™线性FET产品，OptiMOS™线性FET可在增强模式MOSFET的...
如您所见,被通道隔开的端子称为源极和漏极,而栅极是施加控制电压的端子。 尽管此图有助于介绍一般的FET操作,但实际上是在描述一种相对不常见的器件,称为结型场效应晶体管(JFET)。 如今,绝大多数场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。